Магнитная ячейка памяти

ОП ИСАНИЕ

Республик

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 31. 03. 75 (21) 2119462/24 (51) Я, Кд.

G 11 С 11/14 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Соввта Министров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.12.76, Бюллетень № 45 (45) Дата опубликования описания04.04.77 (53) УДК 681.327.77 (088.8) А. Г. Жучков, Л. С. Ломов, В. Д, Мочалов и Г. К. Чиркин (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) МАГНИТНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано для построения оперативных запоминающих устройств.

Известны магнитные ячейки памяти, содержащие пластину из магнитоодноосного материала, в которой при определенных условиях возникают стабильные цилиндрические магнитные домены (ЦМД), и различные средства для управления доменами, расположенные на поверхности пластины.

Одна из известных магнитных ячеек памяти содер-1ð жит пластину из магнитоодноосного материала с

ЦМДи расположенные на ней токовые проводники для уп1эавления (1) .

Однако эта известная ячейка характеризуется 1б сравнительной сложностью.

Известна также ячейка памяти, содержащая пластину из магнитоодноосного материала с ЦМД и расположенные на ней токовые проводники для управления и ферромагнитную аппликацию (2). 20

Однако и эта известная ячейка характеризуется сравнительной сложностью и большим потреблением мощности.

Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и упрощение ячейки. 25

Для этого в магнитной ячейке памяти, содержащей пластину из магнитоодноосного материала с

ЦМД, на которой расположены токовые проводники для управления и ферромагнитная аппликация, ферромагнитная аппликация выполнена ковшеообразной формы, а токовые проводники для управления расположены перпендикулярно ее сторонам.

На чертеже приведена схема ячейки памяти.

Ячейка памяти содержит пластину 1 из магнитоодноосного материала с цилиндрическим доменом 2, источник 3 магнитного поля смещения, ферромагнитную аппликацию 4 ковшеобразной формы и токовые проводники для управления, расположенные перпендикулярно ее сторонам, горизонтальный 5 и вертикальный 6. Ковшеообразная ферромагнитная аппликация

4 может располагаться относительно токовых проводников для управления 5 и 6 различным образом: под проводниками, между ними, над ними, — в зависимости от назначения, условий работы и технологических возможностей изготовления устройства.

В пластине 1 в присутствии постоянного поля смещения, создаваемого источником 3 и направленного перепендикулярно к поверхности пластины, под ферромагнитной аппликацией 4, играющей роль магнитостатической ловушки, находится домен 2.

538423

ЦНИИПИ Заказ 5724/31

Подписное

Тираж 720

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, чл. Проектная, 4

Под действием градиентного магнитного внешнего поля, создаваемого током, протекающим по проводникам 5 или 6, и накладываемого на поле смещения, цилиндрический домен 2 начинает перемещаться в плоскости пластины в направлении максимального уменьшения суммарного магнитного поля, т. е. вдоль сторон ковшеобразной аппликации 4.

Магнитная ячейка памяти работает следующим образом. lO

Присутствие домена 2 под одним из концов ковшеобразной аппликации 4 принимается за нулевое состояние ячейки памяти. Тогда запись единицы в ячейку осуществляется подачей токового импульса сначала по проводнику 6, а затем по проводнику 16

5. При этом полярность импульсов такова, что градиентное магнитное поле заставляет домен 2 перемещаться вдоль сторон ковшеобразной аппликации 4 к позиции "1".

Считывание информации с ячейки производится в позиции "И" ферромагнитной аппликации 4, куда домен 2 перемещается градиентными магнитными полями, создающимися импульсами тока соответствующей полярности, протекающими поочередно по проводникам 6 и 5. После считывания информации с ячейки домен 2 возвращается в позицию "1".

Если в ячейку памяти был записан нуль, что соответствует положению домена 2 в позиции "0", то при считывании информации с ячейки домен 2 не попадает в позицию "И", а только лишь смещается вдоль стороны ковшеобразной аппликации 4, а серия импульсов, обеспечивающая возврат домена 2 в исходное состояние, заставляет его перейти в исходную позицию "0".

Сравнительные испытания предложенной магнитной ячейки памяти с известной показали, что она проще и позволяет снизить в несколько раз мощность, потребляемую от источника питания.

Формула изобретения

Магнитная ячейка памяти, содержащая пластину из магнитоодноосного материала с цилиндрическими доменами, на которой расположены токовые проводники для управления и ферромагнитная аппликация, о тличающая ся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и упрощения ячейки, ферромагнитная аппликация выполнена ковшеобразной формы, а токовые проводники для управления расположены перпендикулярно ее сторонам.

Источники информации принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент США Р 3460116, кл. 340 — 174, опубл.

05. 08. 69, 2. Боярченков М. А. и др. Магнитные доменные логические и запоминающие устройства, М., "Энергия", 1974, с.63 (прототип).