Электростаический элемент памяти

Оп ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ii 533987

Союз Совптскив

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.06.74 (21) 2041164/24 с присоединением заявки Ме (23) Приоритет

Опубликовано 30.10.76. Бюллетень Ко 40

Дата опубликования описания 20.10.7б (51) М. Кл.з G 11С 11/24

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 6S1.377(088.S) (72) Авторы изобретения

В. Л. Дятлов, В. В. Коняшкин, А. И. Мишин и Б. С. Потапов

Институт математики Сибирского отделения АН СССР (71) Заявитель (54) ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕ1тТ ПАМЯТИ

Изобретение предназначено для использования в области автоматики, вычислительной техники, оптоэлектроники.

Известен электростатический элемент памяти, содержащий диэлектрическую подложку, на одной из плоскостей которой закреплен управляющий электрод, а на противоположной плоскости — Ш-образная пластина, закрепленная по двум крайним выступам и основанию.

Недостатком таких элементов является низкая надежность хранения информации, так как запоминание основано на хранении заряда в изоляционном слое. Последнее обуславливает большой разброс и нестабильность времени запоминания вследствие значительных статистических разбросов параметров изоляционного слоя. Это ограничивает область применения элемента.

С целью расширения области применения на диэлектрической подложке предложенного элемента под средним выступом Ш-образной пластины установлен тонкопленочный резистор с блокирующим электродом, а тонкопленочный резистор выполнен из фотопроводящего материала, например полуизолирующего арсенида галлия.

Область применения предлагаемого элемента расширяется за счет возможности управления переключением элемента под действием светового луча, для чего тонкопленочный резистор (лиоо целиком изолирующее основание) выполнен из фотопроводящего материала.

На фиг. 1 показан предложенный элемент; на фиг. 2 — разрез по А — А на фиг. 1.

Элемент содержит Ш-образную пластину 1 средний выступ 2 Ш-образной пластины, диэлектрическую подложку 3, крайний выступ 4

Ш-образной пластины, блокирующий электрод

10 5; тонкопленочный резистор б; неподвижную пластину 7.

Принцип работы элемента заключается в следующем, При приложении разности потенциалов U

15 к пластинам 1, 7 средний выступ Ш-образной пластины притянется к поверхности диэлектрической подложки 3.

Если требуется, чтобы элемент хранил данное состояние, необходимо подать на блоки20 рующий электрод 5 потенциал U» относительно пластины 1 (либо 7). Действие напряжения U» становится эффективным только тогда, когда средний выступ 2 под действием напряжения U притянут к поверхности изо25 лирующего основания. После приложения U» напряжение U можно установить равным нулю.

Функция тонкопленочного резистора б заключается в уменьшении влияния напряжения

30 U,-, когда средний выступ 2 находится в сво533987

Формула изобретения

Составитель Т. Кирюхина

Техред 3. Тараненко

Корректор H. Аук

Редактор В. Левятов

Заказ 2268/13 Изд, № 1694 Тираж 723 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 415

Типография, пр. Сапунова, 2 ем исходном состоянии (зазор между выступом 2 и резистором максимален). Действительно, пусть на источнике, задающем разность потенциалов между пластинами 1 и 7, установлено напряжение, равное нулю, При приложении U к блокирующему электроду 5 относительно пластины 1 (либо 7) происходит падение потенциала на резисторе 6, и, следовательно, уменьшается сила электростатического притяжения. Л когда под действием напряжения U зазор между пластиной 1 и электродом 5 достигнет критической величины, то напряжение U?, становится достаточным для удержания среднего выступа пластины во включенном состоянии.

Если тонкопленочный резистор 5 или диэлектрическую подложку 3 выполнить из фотопроводящего материала, то для управления процессом выключения (или включения) элемента можно использовать световой луч. Действие светового потока на величину U,- осуществляется посредством модуляции сОпрОтивления участка фотопроводника, расположенного, например, между средним выводом и блокирующим электродом 5. Величина напряжения (U?,) элемента во включенном состоянии в рассматриваемом примере максимальна при низкой интенсивности светового потока и минимальна при его высокой интенсивности.

Действительно, при высокой Освещенности ч а с т к а ф О т О и р 0 в Од 1! и х 11: 1 е ж д с р ед и и м В ы сто по. I Ш-Ооразной пластины и О, Iокир; Io11I H?1 электродом 5 его электрическое сопротивление минимально, падение нап1?яжения на этом

5 уч" ñòêå также минимально. При этом большая часть напряжения U? падает на участке, расположенном под Ш-образным средним выступом пластины, что и приводит к уменьшению напряжения удержания. Таким образом, ма10 нину IHp? я Be.7H IHHHI,IH нап1?11?! .ения U? и интенсивности светового луча, можно управлять процессом включения и выключения элемента.

1. Электростатический элемент памяти, содержащий диэлектрическую подложку, на одной из плоскостей которой закреплен управляющий электрод, а на противоположной

20 плоскости Ш-образная пластина, закрепленная по двум крайним выступам и основанию, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения, на диз,1ектрической подложке под средним выступом Ш-образ25 HO!II пласт шы установлен тонкопленочный резистор с блокирующим электродом.

2. Элемент по и, 1, отл и ч а ю щ ий с я тем, что тонкопленочный резистор выполнен из фотопроводящего материала, например полуизо30 лиру1ощего арсенида галлия,