Способ определения параметров пристеночной плазмы

 

Ф ) ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистииесних

Республик

527097

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополни1ельное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 16.11 ° 73 (2!)1973587/26.-2. с присоединением заявки №вЂ” (23) Г1риоритет (43) Опубликовано 25. 12. 77. Бюллетень №4 (45) Дата опубликонания описания 24.12.77

2 (51) М. Кл, +01 N 21/00

Государственный комитет

Соввта Министров СССР оо делам нэооретеннй н открытий (53) УДК 533,9 (088.8) (72) Автор изобретения

В. Л. Немировский (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПЛРЛМЕТРОВ ПРИСТЕНОЧНОЙ

ПЛЛЗМЫ

Изобретение относится .к ракетной технике, антенной технике, физике т1лазмы и может быть использовано для диагностики радиофизических параметров пристеночной плазмы на быстролетяших обьектах, на лабораторных установках, ударных трубах, Известен способ определения параметров пристеночной плазмы, заключаюшийся в зондировании плазмы электромагнитными волнами с одной частотой через апертуру из прямоугольного волновода. Измеряют комплексный коэффициент отражения в измерительном сечении волновода с помошью специального устройства и определяют по формулам функции распределения параметров плазмы из класса функций, параметризованных двумя параметрами, Однако известный способ имеет невысокую точность, поскольку определение функций распределения производят в очень узком классе функций.

Цель изобретения — повышение точности измерений параметров плазмы.

Эта цель достигается тем, что в плазме возбуждают электромагнитные волны с одной частотой, но разной модой колебаний и измеряют коэффициенты матрицы рассеяния этих волн, по которым определяют функции распределения параметров плазмы.

Способ определения параметров пристеночной плазмы заключается в том, что с помошью волновода уВеличенного сечения и излучающей апертуры от СВЧ-генератора

I подводят ряд мод одной частоты к присте ночному слою плазмы, Отраженные от плазмы моды распространяются по волноводу в обратном направлении. B измерительном сечении волновода расположено устройство, которое измеряет коэффициенты матрицы рассеяния мои, соответствуюшие определенным функциям распределения параметр ров плазмы. По измеренным коэффициентам расчетным путем определяют функции распределения параметров плазмы из достаточно широкого класса ограниченных функций (не задаваемых вообше параметрически и не удовлетворяюших геометрооптическим условиям). Указанное достигается с помошью специального математического аппарата, используюшего операторы преобразования и

527097

Составитель В, Саенко

Редактор }», Коляда Техред Н. Бабурка Корректор Л. Федорчук

Заказ 5011/29 Тираж 1101 Подписное

Ш(ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР до делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

OosBoJtAKelet интерпретировать характеристики отраженного поля в широком классе функций. Это важно, поскольку в ряде практических задач ограничение типа геометрической оптики является принципиальным, Формула изобретения

Способ определения параметров пристеиочной плазмы, заключающийся в зондированин плазмы электромагнитными волнами, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью повышения точности измерений, в плазме возбуждают электромагнитные волны с одной частотой, но разной модой колебаний и измеряют коэффициенты матрицы рассеяния этих волн, по которым определяют функции распределения параметров плазмы.

Способ определения параметров пристеночной плазмы Способ определения параметров пристеночной плазмы 

 

Похожие патенты:

Мутномер // 526810

Изобретение относится к аналитической химии и может быть использовано при анализе растворов, содержащих хлорокомплексы палладия

Изобретение относится к физико-химическим методам исследования окружающей среды, а именно к способу определения концентрации ионов в жидкостях, включающему разделение пробы анализируемого и стандартного веществ ионоселективной мембраной, воздействие на анализируемое и стандартное вещества электрическим полем и определение концентрации детектируемых ионов по их количеству в пробе, при этом из стандартного вещества предварительно удаляют свободные ионы, а количество детектируемых ионов в пробе определяют методом микроскопии поверхностных электромагнитных волн по толщине слоя, полученного из ионов путем их осаждения на электрод, размещенный в стандартном веществе, после прекращения протекания электрического тока через стандартное вещество

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения с высокой точностью показателей преломления изотропных и анизотропных материалов

Изобретение относится к области измерений в теплофизике и теплотехнике

Изобретение относится к определению разновидностей хризотил-асбеста и может быть использовано в геологоразведочном производстве и горнодобывающей промышленности, а также в тех отраслях, которые используют хризотил-асбест

Изобретение относится к атомно-абсорбционным спектрометрам, осуществляющим принцип обратного эффекта Зеемана

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, а именно к устройствам для измерения влажности твердых, сыпучих, жидких и газообразных веществ, и может быть применено в промышленности строительных материалов, пищевой, горнодобывающей и деревообрабатывающей отраслях промышленности
Наверх