Резистивный материал
СОЮЗ СОВЮТСИНХ
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт, свид-ву
1 (Я2) 3аянлено17.01.75 (21) 2) 01234/21 с присоединением заявки № (Ы) М. Кл.е
Н 01 С» 7/00
Гооударстаенный номнтет
Совета Инннстроо СССР по делам кзооретеннй и открь1тнй (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.07.76,Бюллетень № 25 (46) Дата опубликовании описании 28.07 76 (53) УДК .C21.ver .
<9 (089 8) В.Л. Волкова, A.Ñ. Гудков, ?0,.H. Котов, Г,A, Мяксимцона, В:Ф, Ряхин, Л,Н. Смирнова и Б.?». ЕЬа"ы-,а (72) Авторы изобретении (71) Запвитель (54) РЕБИСТИВНЬ?Й МЛТЕРИАД
Изобретение относится к радиоэлектрони», ке. Реэистивный материал может быть при1 менен в качестве проводящего слоя. для резистйвных элементов схем и тонкослойных ! металлодиэл ектрических резистров. l5
- Известен реэнстивный материал, преиму-. щественно для,металлодиэлектр тческих ре,зисторов, на основе хрома, содержащий железо, никель и смесь окислов -iO M OH, фа{Э,- СаО, е О ТИ,Аа. О+?» О. д
Из этого материала путем термического испарения в вакууме получатот реэистивные пленки с удельным сопротивлением от 5 ом/т-т до 10 ком/Q. при температурном коэффици,енте сопротивления (ТКС) в пределах @ (- 200 + 100)-. 10=6 1/ С.
Однако при удельных сопротивлениях ре эистивных слоев менее 10 ом/Q возраста, ет абсоллтная величина TYC. Кроме того,, ТКС зависит от удельного сопротивления. О
Бель изобретения - снижение ТКС и умень-шение его зависимости от удельного сопротивления реэнстивного слоя.
Предлагаемый материал отличается тем,,что в него введен алтоминий при следутоптем Я количественном соотношении исходных ком понентов (вес,%>);
Хром 40 — Оо
Железо 0,1 — 20
Никель О, .1 — 20
Л:помин ий О, 1 — 5, 0
Смесь окислов остальное.
Никель резко смешает- ТКС в область положительных значений, но при испарении данного состава,ои взаимодействует с матери,алом нспарителя.
Железо и никель в соотношении (О, 3-1): 1 ., исыночатсу указанный недостаток. Зля
;более плавного смещения ТКС в область по
:ложптельных значений и уменьшения абсо, лютных значений TKC до; (+ 10 100)
I@0 1/ С ьведен алюмпний, Для получения резистивного материала были подготовлены 1 рн состава с соотношением инградиентов, указанйым в таблщо„
1ерми-cQcié м испарением Б вакууме из этих составов получены реэистивные пленки, характеристики которых также указаны и тао"" лиде.
520628
Составитель Т. Богданова
Редактор Б. Федотов Техред И, Ковач Корректо Д. Мельниченко, 3акаэ 3044а/231 Тираж 977 . Подписное, ЦНИИПИ Государственного Комитета Совета Министров в СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент, r, Ужгород, ул. Проектная, 4
Формула изобретения
Резистивный материал, преимуществен ;Но для металлодиэлектрических резисторов", на основе хрома, содержащий железо, ни кель и смесь окислов ЫО„,А1 0, ВаО, Р е20, Г102, а2О + К2О, отличающийся тем, что, с це,лью снижения ТКС и уменьшения его зави10 симости от удельного сопротивления реэис явного слоя, в него дополнительно введен алюминий при следующем количественном со.отношении исходных компонентов (вес.%): г
l5 . Хром - 40 - 90
Железо О 1 — 20
Иикель 01 - 20
Алюминий . 01 — 50
Смесь окислов остальное.
