Способ моделирования сверхпроводящих экранов в постоянном магнитном поле

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

<и> 484530

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. спид-ву (22) Заявлено 06.02.73 (21) 1880784i18-24 с присоединением заявки _#_e (23) Приоритет

Опубликовано 15.09.75, Бюллетень No 34 (51) М. Кл. G 06 7/48

Государственный комитат

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 681.333(088.8) Дата опубликования описания 22.01.76 (72) Авторы изобретения

В. Н. Шахтарин, С. Н. Пылинина и 3. С. Прокофьева (71) Заявитель (54) СПОСОБ МОДЕЛИРОВАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ

ЭКРАНОВ В ПОСТОЯННОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ

jj:Ó Н -= — IOtЕ, E

Изобретение относится к области создания сверхпроводниковых магнитных систем и может найти приме»е»ие при проектировании криоэлектромашин, магнитов для мазеров, лабораторных магнитов для физических исследований и др.

Известен способ моделирования сверхпроводящих экранов в постоянном магнитном поле, основанный на измерении характеристик полей другого типа при помещении в»их экранов. Изучение картины мап1ит»ого поля в такой системе, подбор размеров, формы и взаимного располо>ке»ия экранов требует больших затрат времени и материаль»ых затрат в случае, если это изуче»ие проводят на сверхпроводящих моделях в жидком гелии.

С целью упрощения операции моделирования экрана из немагнитного материала с высокой электропроводностью, аналогичные по форме сверхпроводящим, помещают в магнит»ое поле высокой частоты.

Существо предложения заключается в слсдующем.

В переменное магнитное поле высокой частоты, создаваемое магнитом с обычной, »апример, медной обмоткой, помещают экраны из немагнитного, например из меди, материала с высокой электропроводностью. Измеряя величину напряженности переменного магнитного поля в рабочем объеме, получают в относительных едпшщах распределение напряженности магнитного поля в сверхпроводящих магнитных системах со сверхпроводящими экранами. Эксперимент можно проводить при

5 любой, в частности при комнатной, температуре. Форму и размеры экранов из немагнптного материала с высокой электропроводностью при»ормальной температуре можно легко изменять, добиваясь заданных параметров поля.

10 Возможность такого моделирования поясняется следующим образом.

Для сверхпроводш1ков между напряженностью магнитно.о поля и плотностью то à cvществует зависимость

Н вЂ : о1 Г01 / или Н К, rot у, где H — напряженность магнитного поля, 20 J — плотность тока, 6т. — лондоновская глубина проникновения . Iаг»ит110ГО»ол» в свс11х»РОВ0;111»к.

С другой стороны, для переменного мап1»тного поля и обы шого прово.д»нка имеется сле25 дующая зависимость: у;, Н =- — r0t ", И - К, 01;, 2) 484530

Предмет изобретения

Составитель Е. Тимохина

Техред T. Курилко

Редактор T. Юрчикова

Корректор T. Гревцова

Заказ 3205/17 Изд. № 1804 Тираж 679 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам. изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4 5

Типография, пр. Сапунова, 2

Ь где б — плотность тока, о — угловая частота, р — удельная проводимость, p — магнитная проницаемость, H — напряженность магнитного поля, Уравнения (1) и (2) имеют один вид и, таким образом, распределение напряженности постоянного магнитного поля и плотности тока в сверхпроводнике может быть смоделировано распределением переменного магнитного поля и плотности тока в обычном проводнике.

При этом способе моделирования его точность не зависит от расположения экранов.

Способ моделирования сверхпроводящих экранов в постоянном магнитном поле, основанный па измерении характеристик полей другого типа при помещении в них экранов, отличающийся тем, что, с целью упрощения операции моделирования, экраны из

10 немагнитного материала с высокои электропроводностью, аналогичные по форме сверхпроводящим, помещают в высокочастотное магнитное поле.