Резистивный датчик
ОП ИСАЯИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистииеских
Республик (11) 478202 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 28.11.73(21) 1972949/18-10 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет
Опубликовано 25.07.75Бюллетень М 27
Дата опубликования описания 27,О1..76 (51) М. Кл. (01 k, 7/16
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам иэооретений и открытий (53) УДК
516 531 621 1 6
825(088 8) Р. !1!. Ибрагимов, А. Г. Клименко и Э. А. Клименко (72) Авторы изобретения
Институт физики полупроводников Сибирского отделения АИ СССР (71) Заявитель (54) РЕЗИС ГИВ11ЫЙ ДАТЧ1!К
Изобретение относится к термометрам. сопротивления для измерения температур в области 4,0 — 250 ><.
Известны низкотемпературные резистивные датчики, выполненные на основе угольных пленок, двуокиси олова 8пО
2 легированного сурьмой, монокристаллическто Се и Si!!едостатком латчиков на основе угольных пленок и $пО, легированного сурь2 мой, является низкая стабильность и воспроизводимость при отогревах, так как в основе этих датчиков используются аморфные или поликристаллические пленки.
Датчики на основе монокристаллического Ge u Si обладают высокой чувстви1 ельп остью и стабильностью. Однако эти датчики чувствительны к магнитным по лям и их характеристики имеют большую неравномерность температурного коэффициента сопротивления (резкое возрастание сопротивления в области жидкого ге- 1 лия), что усложняет измерительную аппаратуру, Цель изобретения - повышение точности измерений в области низких темпера5 тур.
Для этого в предии аемом устройстве чувствительный элемент выполнен в виде слоев твердых растворов Ge + Sj
Применение этого материала в новом качестве основано на неизученном ранее свойстве: изменении сопротивления с изменением температуры в области 4,277 К.
11а основе монокристаллических слоев твердых растворов Ge+ S1 полученных на диэлектрике, могут быть изготовлены рез истивные низ к отемпера тури ые датч ики, обладающие высокой чувствительностью и точностью, хорошей повторяемостью и стабильностью при отогревах до комнаго ной температуры и выше (350 К), с малым влиянием магнитных полей и равномерной чувствительностью в области темnepaTJJp жидкого гелия.
478202
Составитель онов
Редактор .((ванова елредИ.Карандашова (корректор
Заказ Я Якт.7
Иад. М gO) тираж 740 Подписное
I!(11Ï!((È осударственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, ((3035, Раушская наб. ° 4
Предприятие «((атент», Москва, -59, Бережковская наб. ° 24
Датчики температур, изготовленные из твердых растворов Ge+ Si найдут широкое применение при решении научных и технических задач, связанных с точными измерениями низких температур. На основе слоев твердых растворов Ge+ Si на керамике возможно изготовление нескольких датчиков на одной подложке, что может быть использовано для точного измерения градиентов температуры в области жид» кого гелия.
В качестве материала для датчика использовался монокристаллический слой твердого раствора Ge + Si. с содержанием $1 80% удельным сопротивлением прн комнатной температуре Р =0,11 ом.см и конпентра1(чей акцепторных примесей
Na — 4,,э:10 см, полученный на кера7 -3 мике. Толшина слоя составила d = 30 мкм. При охлаждении пленок твердса о раствора Ge+ Si удельное сопротивление их возрастает. Воспроизводимость сопро тивления пленок при отогревах от 4,2 до о
350 К составляет 0,1%, что позволяет измерять температуры в области жидкого гелия с точностью до 0,01оК.
Предмет изобретения
Резист(вный датчик, соиержаший чувствительный элемент в виде пленки, нанесенной на диэлектрическую подложку, о т(5 личаюшийсятем, что,спелью повышения точности измерений в области низких температур, чувствительный элемент выполнен в виде монокристаллических слоев твердых растворов GP. + 81
