Способ изготовления матрицы запоминающего устройства

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

00 470859

Союз Советских

Социалистических

Республик (б1) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 21.04.72 (21) 1776203!18-24 (5I) М. Кл. G 11с 5/00 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (32) Приоритет

Опубликовано 15.05.75. Бюллетень ¹ 18

Дата опубликования описания 26.08.75 (53) УДЕ, G81.327.G (088.8) (72) Авторы изобретения

Ю, В. Остапенко, В. В. Бушин, Т, П. Боровских, Г. П. Тимофеева и Ю. П. Панев

Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской ССР (71) Заявитель

I (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ

ЗАПОМИ НАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к технологии изготовления интегральных магнитопленочных матриц запоминающих устройств.

Известен способ изготовления интегральной матрицы запоминаюшего устройства посредством создания сетки проводников заданной конфигурации, например, методом многослойной печати и покрытия этой сетки проводников магнитным материалом преимущественно с прямоугольной петлей гистерезиса.

При изготовлении многопленочной интегральной матрицы запоминающего устройства известным способом сначала методом многослойной печати из пластика и проводящих слоев получают сетку проводников заданной конфигурации, образующую правильно чередующиеся перекрестки проводников, которые служат в дальнейшем основой для запоминающих элементов. Части пластика в промежутках между проводниками удаляют механическим путем, в результате чего в этих местах образуются отверстия. Оставшемуся пластику придают форму решетки из пересекающихся под прямыми углами цилиндров равного диаметра с осями, расположенными в одной плоскости. Эту конструкцию покрывают методом химического осаждения тонкой магнитной пленкой, получаемой восстановлением никеля и кобальта из гипофосфита. Однако известный способ изготовления матрицы трудоемок, так как операция удаления пластика в промежутках между проводниками нетехнологична; возможности уменьшения размеров

5 элементов матрицы ограничены пз-за необходимости придания перекрестиям решетки заданной формы; надежность изоляции между проводниками матрицы недостаточна из-за возможного закорачивания проводников при

10 создании отверстий.

Для повышения надежности матрицы предлагается диэлектрик между проводниками матрицы оплавлять, например, потоком нагретого газа, а на открытые участки проводников

15 дополнительно наносить диэлектрик.

При осуществлении описываемого способа

»а металлпзпровашюм с двух сторон диэлектрш е с небольшой температурой плавления

20 методом фотолитографии изготавливают с одной стороны адресные проводники, с другой— ортогональпые им — разрядные. Локальные у частки матрицы нагревают в потоке горячего газа до температуры, превышающей темпера25 туру ITëàâëåíïÿ диэлектрика. в результате чего образуются отверстия между проводниками.

На открытые участки проводников наносят диэлектрик, например эпоксидную смолу, ме30 тодом э,-,ектроосаждепия, которьш металлизи470859

Предмет изобретения

Составитель 8. Вакар

Редактор Ь. Нанкина

Корректор И. Позняковская

Техред Г. Дворина

Заказ 1992/10 Изд. № 1446 Тираж 648 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР

lI0 делам изобретений и открытий

Москва, 3(-35, Раузпская наб., д. 4/5

Типография, lip. Сапунова, 2 руют и покрывают магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса.

ll р и м е р. На металлизированном с двух сторон лавсане методом фотолитографии изготавливают с одной стороны — адресные, а с другой — ортогональные им — разрядные проводники. Локальные участки матрицы помещают в поток горячего газа 1300 — 350 C;), в результате чего лавсан оплавляется. Открыг ые участки проводников покрывают слоем эпоксидной смолы методом электрофореза из ванны следующего состава: твердая фаза—

20%-ный раствор эпоксидной смолы марки

Э-4! в ацетоне; дисперсионная среда- — изопропиловый спирт; суспензия 15%-ной концентрации. В суспензию входит 1 /о отвердите. я (полиэтиленполиамин) . Осаждение производят при напряжении б00 В, ток 5 MA в течение

2 мин. Нанесенный слой эпоксидной смолы полимеризуют при 120 С в течение 1 час. Полимер активируют 2 -ным раствором палладия или хлористого олова и затем подвергают химической металлизации из раствора следующего состава: 30 г/л сернокислого никеля, 10 г/л уксуснокислого натрия, 10 г/л гипофосфита натрия. Толщина металлического слоя

3 мкм. Слой металла покрывают слоем магнитного материала, состоящего из 83о/о никеля и 17% железа, методом электролитического осаждения из ванны следующего состава, г/л:

11 1804 7Н20 340

5 МС1в. 6Н О 15

FeS04 7Н20 8

НзВОз 30

Сахарин 0,8

Лимонная кислота 6.

10 Плотность тока 8 MA/см, время осаждения

1 час. Толщина осажденного слоя — 8 мкм.

15 1. Способ изготовления матрицы запоминающего устройства, заключающийся в создании сетки проводников заданной конфигурации, например, методом многослойной печати и покрытия этой сетки проводников магнит2п ным материалом преимущественно с прямоугольной петлей гистерезиса, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения надежности матрицы, диэлектрик между проводниками оплавляется, например, потоком нагре25 того газа.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на открытые участки проводников дополнительно наносят диэлектрик.