Накопитель постоянного запоминающего устройства с электрической записью информции

пп 466552 с...с...,сках О П И С А Н И Е

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт, свидетельства ! (22) Заявлено 02.01.73 (21) 1870228, 18-24 (51) М. Кл. С 11с 17/00

G 11с 11/40 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета тлноистров СССР (32) Прил/)итет

Опубликовано 05.04.75. Бюллетень № 13 р

Дата опубликования описания 26.06.75 (53) УДК 681.327.6 (088.8) ll0 делам изобретений и открытий (72) Автор изобретения

А. С. Свердлов

448 : ".;;".- -., г . а (71) Заявитель (54) НАКОПИТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮ1ЦЕГО

УСТРОЙСТВА С ЗЛЕКТРИт1ЕСКОЙ ЗАПИСЬЮ ИНФОРМАЦИИ

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к постоянным запоминающим устройствам (ПЗУ) ЭВМ.

Известны накопители ПЗУ с электрической записью информации, содержащие разрядные шины Х и числовые шины У, в местах пересечения которых расположены запоминающие элементы на МОП-транзисторах с плавающим затвором, сток каждого из которых подключен к соответствующей шине Х, а исток — через разделительный диод к соответствующей шине

У, и управляющие МОП-транзисторы, число которых равно числу запоминающих МОПтранзисторов.

Недостатком известных накопителей ПЗУ на МОП-транзисторах с плавающим затвором является наличие большого числа управляющих МОП-транзисторов (на каждый запоминающий МОП-транзистор приходится свой управляющий МОП-транзистор), что снижает 20 величину емкости ПЗУ, который можно достичь на одном кристалле микросхемы.

Целью изобретения является повышение надежности работы накопителя, что достигается 25 за счет введения в накопитель шип Г по числу разрядных шин Х. Каждая шина Z подключена одним концом через управляющий МОПтранзистор к шине нулевого потенциала, а другим — к последовательно соединенным за- 30 творам запоминающих МОП-транзисторов одного разряда.

Накопитель представлен на чертеже.

Накопитель содержит разрядные 1, 2 и числовые 3, 4 шины, в местах пересечения которых расположены МОП-транзисторы 5 — 8. Через разделительные диоды 9 — 12 исток запоминающего МОП-транзистора подключен к соответствующей числовой шине Y. Накопигель содержит управляющие МОП-транзисторы 13, 14 и координатные шины Z, каждая из которых подключена одним концом через управляющий МОП-транзистор к шине нулевого потенциала 15, 16 .

В исходном состоянии затворы запоминающих транзисторов не заряжены, и во всех ячейках памяти хранится «О». Для записи «1» например, в транзистор 5 на числовую шину

У 3 подается напряжение записи, достаточное по величине для пробоя истокового диода транзистора 5. На затвор транзистора 13 подается напряжение, открывающее его. При этом на транзистор 14 подается напряжение, равное нулю. В транзисторе 5 происходит пробой истока, и записывается «1». В остальных транзисторах б — 8 накопителя запись не происходит. Хотя на исток транзистора 7 подано высокое напряжение, его пробой не возникает, поскольку цепь подложки транзистора 7 разорвана транзистором 14, а с шиной нулевого

466552

16

Составитель В. Вакар

Техред Е. Подурушина

Редактор Л. Утехина

Корректор А. Галахова

Заказ 1435/17 Изд. № 643 Тираж 648 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СС(:P по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 потенциала она соединена через разделительный диод 12. Таким образом, запись происходит только в транзисторе, находящемся на пересечении шин У и Z. Для считывания информации, например, на шину 2 Х подается напряжение, меньшее, чем то, которое подается при записи, и хранимая информация определяется величиною считанного сигнала, который зависит от того, проходит ток через транзистор или нет.

Предмет изобретения

Накопитель постоянного запоминающего устройства с электрической записью информации, содержащий разрядные шины Х и числовые шины У, в местах пересечения которых расположены запоминающие элементы на

МОП-транзисторах с плавающим затвором, сток каждого из которых подключен к соот5 ветствующей шине Х, а исток — через разделительный диод к соответствующей шине У, и управляющие МОП-транзисторы, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности работы накопителя, он содержит

10 шины Z по числу разрядных шин Х, каждая шина Z подключена одним концом через управляющий МОП-транзистор к шине нулевого потенциала, а другим — к последовательно соединенным затворам запоминающих МОП15 транзисторов одного разряда.