Датчик градиента магнитного поля

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ тпт 46I392 (1отоа боеетских

Социалистических

Республик (6l) Зависимое от авт, свидетельства (22) Заявлено 11.06.73 (21) )941560/18-10 (51) М. Кл. G Olr 33/06 с присоединением заявки ¹

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (32) Приоритет

Опубликовано 25.02.75. Бюллетень № 7

Дата опубликования описания 04.04,75 (53) УДК 621.317.4 (088.8) (72) Авторы изобретения

И. С. Левитас, Ю. К. Пожела, К, К. Сталерайтис и Н. Ю. Яиавичене (71) Заявитель

Институт физики полупроводников АН Литовской ССР

\

\«

1 (54) ДАТЧ И К ГРАДИЕНТА МАГНИТНОГО ПОЛ

Известны датчики градиента магнитного поля, содержащие плоскопараллельную полупроводниковую пластину с омическими контактами на противоположных торцах.

Для повышения чувствительности к градиенту магнитного поля и точности измерения в предлагаемом датчике одна из граней пластины содержит две области с проводимостью, противоположной проводимости пластины, расположенные в направлении омических контактов, а противоположная грань имеет область с большой скоростью рекомбинации носителей тока.

На чертеже схематично показан описываемый датчик.

Плоскопараллельная полупроводниковая пластина 1 и-типа проводимости, близкой к собственной, на грани 2 имеет две снабженные отводом области 3 и 4 р-типа проводимости, а на противоположной грани 5 — область

6 с большой скоростью рекомбинации носителей тока. На торцах пластины расположены омические контакты 7 и 8.

При приложении напряжения к контактам

7 и 8 и помещении датчика в магнитное поле возникает сила Лоренца, которая отклоняет пары носителей тока в пластине в направлении грани с областями р-типа проводимости или от нее. Соответственно, у грани электронно-дырочных переходов, на которые подается отрицательное смещение, происходит накопление носителей тока или обеднение их концентрации. Наличие на грани 5 области с большой скоростью рекомбинации приводит к зна5 чительному увеличению концентрации неравновесных носителей тока у грани с р — п-переходами. Появление неравновесных носителей тока р — п-переходов вызывает изменения тока через переходы, причем при наличии

10 градиента магнитного поля в направлении тока через пластину эти изменения неодинаковы по величине. Разность токов через р — и-переходы определяет чувствительность датчика к градиенту магнитного поля.

15 Ввиду большой чувствительности р — п-переходов к магнитному полю чувствительность предлагаемого датчика к градиенту в десятки раз больше, чем чувствительность датчика на элементах Холла. Близкое расположение кол20 лекторов относительно друг друга обеспечивает высокую точность измерения градиента магнитного поля.

Предмет изобретения

25 . Датчик градиента магнитного поля, содержащий йлоскопараллельную полупроводниковую пластину с омическими контактами на торцах, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности к градиенту маг30 - нитного-поля и точности измерения, одна грань

4613Ю

Составитель В. Сергеев

Техред Е. Борисова

Корректор А. Степанова

Редактор А. Пейсоченко

Заказ 776/16 Изд. № 402 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 пластины содержит две области с проводимостью, противоположной проводимости пластины, расположенные в направлении омических контактов, а противоположная грань имеет область с большой скоростью рекомбинации носителей тока.