Амплитудный дискриминатор

ЖЖЮмная

ЖВ, :: - - . т- gAg

ОПИСАН

ИЗОБРЕТЕН

i)" 4 8945

Союз Советских

Социалистических

Респтбчик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕ (61) Зависимое от авт. свидетель (2Я) Заявлено 13.08.73 (21) 195644 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 30.01,75. Бюллетень

Дата опубликования описания 04.0

1) М. Кл. H 03k 5/20

Государственнык комитет

Совета Министров СССР

3) УДК 621.374.33 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

В. В. Суворов и Е. В. Королько

Московский ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. М. В. Ломоносова (54) АМПЛИТУДНЪ|й ДИСКРИМИНАТОР

Изобретение относится к области ядерной электроники и может быть использовано в радиотохни ке.

Известны амплитудные дискри ми наторы, выпол ненные на туннельном диоде, содержащие схему шунтирования на двух транзисторах разного типа проводимости и входной усилитель тока на транзисторе, подключенном коллекторо м к катоду ту ннельного диода.

Цель изобретения — уменьшение гистерезиса, Это достигается тем, что эмиттеры тра нзисторов схемы шунтирования соединены между собой, базы подключены к срединам точкам делителей напряжения питания схемы шунтирования, состоящих из сопротивления и стабилитрона, при этом резистор в цепи базы и — р — n-транзистора и стабилитрон в цепи базы р — п — р-транзистора зашунтированы конденсатором.

На фпг. 1 изображена электрическая схема амплитудного pIIclKpIIMHнатора; на фиг. 2 .приведена диаграмма его работы.

Дискриминатор содержит входной усилитель тока, туннельный диод 1 и схему шунтирования. Входной усилитель тока выполнен на транзисторе 2, коллектор которого соединен с минусом туннельного диода и схемой шунTHpoBBHHÿ, эмиттер через резистор 3 — с минусом питания, а база подключена к средней точке делителя, состоящего из резистороч 4 и 5; кроме того, база соединена с разделительным ко нденсаторо м 6. Номиналы резисторов 4 и 5 определяют потенциал базы транзистора 2, а номинал резпетора 3 устанавливается таким, чтобы получить нужное значение тока коллектора транзистора 2 в статическом режиме. Схема шунтирования состоит из транзисторов 7 и 8, эмиттеры которых соединены. Потенциал базы транзистора 7 фиксирован путвм подключения к стабилитро ну 9, соединенному вторым выводом с общей точкой схемы; ток стабилитрона задается резисто ром 10, за шунтированным конденсатором

15 11. В статическом режиме устанавливается небольшая разность потенциалов между базами транзисторов 7 и 8, недостаточная, однако, по величине для заметного огкрьввания транзисторовов.

20 Работа амплитудного дискриминатора протекает следующи м образом.

Входной си гнал через конденсатор 6 подается на базу транзлстора 2 и вызывает изменение тока коллектора этого прапзпстора, 25 пропорциональное величине сигнала. Приращение коллекторного тока распределяется в цепи туннельного диода и схемы шунтирования, имеющей нелинейную вольт-амперную характеристику. Требуемый эффект малого

30 гистерезиса достигается за счет того, что для

458945

Ва хОЮ

Вход

V,5

Составитель А. Туляков

Редактор И. Грузова Техред Т. Миронова Корректор Е. Кашина

Заказ 450120 Изд. № 1056 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 построенной таким образом схемы п ри правильном подборе токов и потенциалов нагрузочная ветвь схемы шунтирования вблизи порога срабатывания оказывается очень близкой по форме и расположению к,ветви отрицателыного сопроти вле ния туннельного диода, что небольшое увеличение (уменьшение) суммарного тока приводит к перебросу рабочей точечки на диффузную (туннельную) ветвь.

При этом именно вследствие подобия указанных участков характеристик переключение схемы происходит при небольших изменениях тока и сопровождается значительным изменением напряжения на выходе схемы, послед нее, в свою очередь, имеет следствием большой коэффициент подавления подпорогового сигнала.

На фиг. 2, поясняющей работу дискриминатора, точка А соответствует статическому режиму, точки Б и  — соответственно под- и надпороговому состоянию схемы вблизи порога срабатывания, 12 — нагрузочные ветви схемы шунгиравания для трех состояний дискриминатора, 13 — характеристика туннельного диода.

Предмет изобретения

Амплитудный дискриминатор, выполненный на туннельном диоде, содержащий схему шу нтирова ния на двух транзисторах, разного типа проводимости, входной усилитель тока на транзисторе, подключенном коллектором к катоду туннельного диода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения гистерезиса, эмиттеры транзисторов схемы шунтирования

15 соединены между собой, базы подключены к средним точкам делителей напряжения питания схемы шунтирования, состоящих из сопротивления и ста билит|рона, при этом резистор в цепи базы и — р — и-транзистора и стабили20 трон в цепи базы р — n — р-транзистора зашунтированы конденсатором.