Блок управвления выборкой информации из запоминающего устройства
Q П И С А Н И Е (и) 4580 35
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 31.05.71 (21) 1662727/18-24 с присоединением заявки № (32) Приоритет
Опубликовано 25.01.75. Бюллетень № 3
Дата опубликования описания 28.05.75 (51) М. Кл. G 11с 11/40
Государственный комитет
Совета Министров СССР (53) УДК 681.327.6 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Автор изобретения
Б. Г. Трайто (71) Заявитель (54) БЛОК УПРАВЛЕНИЯ ВЫБОРКОЙ ИНФОРМАЦИИ
ИЗ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА
Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к запоминающим устройствам (ЗУ) электронных вычислительных машин.
Уже известны блоки управления выборкой информации из запоминающего устройства, состоящие из транзисторов, резисторов и источников питания.
Однако:в известные блоки управления выборкой информации из ЗУ входит большое количество (б транзисторов и 3 резистора) электрорадиоэлементов и они имеют два сигнальных входа.
Цель изобретения — повысить надежность работы блока управления.
Это достигается тем, что в нем коллектор первого транзистора через первый резистор подключен к первому источнику питания, а эмиттер соединен с шиной нулевого потенциала, коллектор второго транзистора соединен со вторым источником питания, эмиттер через второй резистор подключен к шине нулевого потенциала, а база соединена с коллектором первого транзистора.
На чертеже представлен блок управления выборкой информации из ЗУ. Коллектор первого транзистора 1 через первый резистор 2 подключен к первому источнику питания 3, а эмиттер соединен с шиной нулевого потенциала 4, коллектор второго транзистора 5 соединен со вторым источником питания 6, эмиттер через второй резистор 7 подключен к шине нулевого потенциала 4, а база соединена с коллектором первого транзистора 1.
Блок управления выборкой информации из
ЗУ работает следующим образом.
Возможны два режима работы: хранение информации (слово не выбрано) и обращение (запись или чтение информации в накопи10 теле) .
B режиме хранения информации напряжение на входе блока управления равно нулю.
Транзистор 1 закрыт, а транзистор 5 открыт.
Источники питания 3 и б обеспечивают тре15 буемое напряжение в линии слова, необходимое для хранения информации в ячейках запоминающего устройства.
В режиме обращения на входе транзисто20 ра 1 появляется положительный сигнал, транзистор открывается и переходит в режим насыщения, напряжение на его коллекторе становится близким к нулю. Транзистор 5 закрывается. Напряжение в линии слова падает до нуля, что приводит к возникновению сигнала чтения отрицательной полярности.
В зависимости от длительности сигнала обращения считывание будет разрушающим или неразрушающим. Если длительность сигнала
30 обращения больше постоянной времени раз458035
Предмет изобретения
Составитель В. Вакар
Техред Т. Миронова
Редактор О. Стенина
Корректор Е. Мохова
Заказ 1252/12 Изд, ¹ 555 Тираж 651 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 ряда коллекторных емкостей транзисторов в ячейках памяти, то считывание разрушающее.
При этом в момент заднего фронта импульса обращения необходимо производить восстановление информации в ячейках памяти выбранного слова.
Если длительность сигнала обращения меньше постоянной времени разряда коллекторных емкостей транзисторов в ячейках памяти, то считывание неразрушающее. При lo этом восстановление информации производить не нужно. После считывания производится запись или восстановление информации.
Блок управления выборкой информации из запоминающего устройства, содержащий транзисторы, резисторы и источники питания, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы, в нем коллектор первого транзистора через первый резистор подключен к первому источнику питания, а эмиттер соединен с шиной нулевого потенциала, коллектор второго транзистора соединен со вторым источником питания, эмиттер через второй резистор подключен к шине нулевого потенциала, а база соединена с коллектором первого транзистора.
