Мишень запоминающей электроннолучевой трубки
О П И С А Н И Е ()I) 451146
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик (Я} Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено24.11.72 (21} 1849471/26-25 с присоединением заявки № (M} Лриоритет(51) и. кл.
H 01 29/10
Государственный хомитет
Совета Министров СССР по деном изобретений и отирытий (5a) УДК 621.385. .832 (088.8) Опубликовано25 1) 74 Бюллетень №43
Дата опуб"и B H п са 21.07.75 (72} Aвтор,. изобретения
Р. И. Шипер
Г (71) Заявитель (54) МИШЕНЬ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ
Изобретение относится к конструкции накопительной мишени запоминающих электроннолучевых трубок, в которых при считывании записанного на мишени сигнала, э»ектроны считывающего пучка не облада)ет мишенью.
Однако гидроскопичность известных накопительных мишеней у трубок указанного типа приводит к разрыхлению поверхности в процессе изцотовления прибора, а следовательно, к понижению сопротивления ди электрического покрытия и увеличения тоЕ ков утечек, что уменьшает время считыв»ция, особенно при повышенных . температурах.
Цель изобретения — увеличить время считывания информации при повышенных температурах.
Для этого между подложкой мишени и диэлектрическим покрытием размещают дополнительный слой диэлектрика с удельным
16 сопротит)ением более 1О омlсм и тол» иной не более 0,5 мкм.
На чертеже приведено схематическое и-обр»ж цие элемента мишени.
Мишень представляет собой сетчатую металлическую подложку 1, не которой по следовательно размещены два слоя .,диэлектрика 2 и 3. Слой 2 является допол нительным и может быть выполнен, например, из моноокиси кремния Si О или
2 окиси алюминия At, O или другого негидроскопического диэлекЯзика, удовлетворяющего приведенным требованиям; слой 3
10 является обычным рабочим диэлектриком и представляет собой фторид кальция или магния, В процессе записи диэлектрик мишени облучается пучком быстрых электронов, при этом, так как коэффициент вторичной эмиссии д > 1, диэлектрик заряжается положительно по отношению к металлической подложке 1. Наличие токов утечек через диэлектрический чслой к подложке, связанных с конечной величиной сопротивления рабочего слоя диэлектрика, приводит к тому, что потенциал рабочей поверхности 3 мишени становится равным потенциалу подложки 1, т. е. к стиранию запи
4 /146 (;оставитель Ц.Ефремова
Р ел а к то р (3. Стени на
Заказ 4З
Текред H.ÕàíååBà
Корректор } д ревцова
Изл. Kl f35
ЦПИИПИ Гocyaapcrae««uro комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, I l3035, Раушская наб., 4
Прел«риятис «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24 ной информации, что, соответ:твенно приво дит к уменьшению времени считывания.
Чтобы затруднить инжекцию электронов из металлической подложки в диэлектрик и из диэлектрика в подложку, необходимо создать зону повышенного сопротивления. Такой зоной предлагаемой конструк ции мйшени служит слой диэлектрика 2 с сопротивлением, на порядок превышающим сопротивление рабочего слоя диэлект рика 3.
Введение дополнительного слоя диэлектрика из моноокиси кремния позволяет увеличить время считывания в области температур 50-60оС в 4 раза. При использова нии окиси алюминия время считывания увеличивается только в,2 .раза.
То паина дополнительного слоя диэлектрика не должна превышать 0,5 мкм. При увеличении толщины слоя 2 происходит уменьшение времени считывания, что, оче-"видно, связано с существенной ролью в процессе образования токов утечек граничного с металлической подложкой 1 слоя диэлектрика (его структура).
5,"
Предмет изобретени-.::
Мишень запоминающей электроннолуче.= вой трубки, содержащая на сетчатой под10 ложке, являющейся сигнальной пластиной, по крайней мере два слоя диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью увеличения времени считывания ино
Ы формации при температуре выше 20 С, промежуточный слой на границе с сигналы ной пластиной представляет собой стеклообразующий слой диэлектрика, например . ,моноокись кремния, с удельным сопротив16
29 лением,более 10 ом/см и толщиной,,не превышающей 0,5 мкм.
Тираж 760 Подписное
