Способ контроля состава бинарных сред

О П И С А Н .И-::-:: :

ИЗОБРЕТЕНИ

Союз Советских

Социалистических

Республик (1i) 441484

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) ЗаЯвлено 27,10.72 (21) 1841239/26-25 с присоединением заявки №.— (5!) М. Кл. (Зг 01 и 23/00 (23) Приоритет (43) Опубликовано 250278.Бюллетень № 7

Гвардарвтввнпый наантвт

Саввта Мнннстрав СССР на данна нзабрвтвннй н втнрытнй (53) УДК 681 17 002 . 612. 3 (088 8) (45) Дата опубликования описания 30,о1.78 (72) втор изобретения

К.С.Клемпнер

pl) Заявитель Донецкий научно-.исследовательский: угольный институт (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ СОСТАВА БИНАРНЫХ ЯРЕД

Изобретение относится к способам контроля состава бинарных смесей, растворов и сплавов, основанным на взаимодействии Jh -излучения с контро-. лируемям веществом.

Известен способ контроля состава бинарных смесей, основанный на измерении рассеянного бета-, гамма-. или рентгеновского излучения. По этому способу измеряют плотность потока, рассеянного в направлении вперед протяжным детектором. Ось последнего перпендикулярна.к поверхности исследуемого материала, ирячем расстояние источник детектор выбирают .соответствующим . плато . на кривой зависимости плотности потока рассеянного излучения от расстояния источник-детектор для различных толщин исследуемого материала.

При построении автоматических устройств по укаэанному способу поверхностная плотность контролируемого вещества должна поддерживаться в пределах плато зависимости плотности потока излучения от поверхностной плотности контролируемой среды.

В случае применения р -излучателей автоматическое поддержание поверхностной плотности в пределах плато

2 представляет значительные технические трудности, так как ширина плато .весьма мала.

Целью изобретения является упро5 . щение автоматизации контроля вещественного состава бинарных смесей, растворов и сплавов по рассеянию J -излучения вперед .

Это достигается тем, что по пред10 лагаемому способу изменяют поверхностную плотность контролируемой среды, фиксируют максимальное значение плотности потока бета-излучения и по значениям до и после изменения поверхностной плотности бинарной среды вычисляют содержание анализируемых компонентов..

На чертеже приведена схема установки, реализующая предлагаемый споо0 соб.

Источник излучения l расположен по одну сторону от исследуемого материала 2, по другую сторону от которого размещен детектор 3.

25 Источник излучения и детектор устанавливаются соосно, причем расстояние источник-детектор выбирается минимальным по конструктивным соображе" .ниям. Между источником и исследуемым

30 материалом располагают экран 4, по441484 глощающий практически полностью прямое излучение от источника. Благодаря установке экрана детектор регистрирует излучение, рассеянное в объеме исследуемого материала в направлении вперед .

При реализации способа в качестве исследуемых материалов берут сплав

СИ- 4С с содержанием меди 40%, выполненный в виде плоскопараллельного клина с воэможностью перемещения его в направлении, перпендикулярном распространению излучения. В качестве исгочника бета-излучения используют иэо« топ стронций 90 +.иттрий 90. !5

В соответствии с изобретением сняты кривые зависимости максимума плотности потока излучения Ф/Ф от плотности сплава и чистого алюминия и меди»

Ископаемая концентрация меди (40%j 20 вычисляется по формуле

+/+o д/ Ь

35 где Р, /Ф„- значение максимума плот ности потока излучения при С = 100%.

Е„ 0;

Ч / — значение максимума плотности потока излучения при С„% 100%

0i

См

Ф/У вЂ” значение максимума плотности потока излучения при неизвестной концентрации.

При реализации данного способа в потоке необходимо осуществить циклическое дозирование контролируемого вещества так, чтобы в одном цикле доэирования поверхностная плотность контролируемого слоя вещества изменялась от весьма малых значений до слоя полного ослабления р -излучения. формула изобретения

Способ контроля состава бинарных сред путем облучения и последующего измерения бета-излучения, рассеянного вперед, отличающийся тем, что, с целью автоматизации контроля, изменяют поверхностную плотность контролируемой среды, фиксируют максимальное значение плотности потока бета-излучения и по значениям до и после изменения поверхностной плотности бинарной среды вычисляют содержание аналиэируеьых компонентов.

441484

Составитель Ю.Громов

Редактор Е.Караулова Тех ед И.Климко Корреекттор

E.Ïàïï Заказ 640/2 Тираж 702 Подписное цНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытиИ

1 3 3035 Москва Ж-35 РаУмскак каб. ц. 4 5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4