Устройство задержки импульсов

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ!

«>432678

Союз Советских

Социалистических

Республик (6l) Зависимое от авт. свидетельства 345600 ! 22) Заявлено 14.08.72 (2! ) 1818781/26-9 (51) М, Кл. Н 03k 17j28 с присоединением заявки— (32) Приоритет—

Опубликовано 15.06.74. Бюллетень ¹ 22

Дата опубликования описания 21.04.75

Государственный комитет

Совета Министров СССР

А0 делам изобретений и открытий (53) УДК 621.374.52 (088.8) (72) Авторы изобретения

Е. Б. Алексеев, М. А. Ананян, В. Г. Шульга и И. В. Зайцевский (71) Заявитель ч1, Б (54) УСТРОЙСТВО ЗАДЕРЖКИ ИМПУЛЬСОВ

Изобретение отгносится к области полуHp0Bo3 i1HKoBoH 1t>lII) !!0É найти применение при создании различных устройств .наносекундного диапазона, в вычислительной и .радиоизмерительпой технике.

По основному авт. свил. № 345600 известно устройство задержки импульсов.

С целью расширения диапазона регулирования, возможности работы в режиме одновибратора и предотвращения прохождения выходных,ихгпульсоB в цепь источника входных сигналов предлагаемое устройство снабжено до полнительно источн иком импульсного питания диода с накоплением заряда, выполненного на л-р-и транзисторном ключе, эмиттер которого через и ндукти вность соединен с анодом диода с накоплением заряда, коллектор подсоединен к резистиBíîìó делителю источника напряже!гия смещения, при этом анод диода с накоплением заряда через резистор соединен с выходом быстродействующего триггерного каскада.

На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства.

Анод диода 1 с накоплением заряда через резистор 2 связан с базой р-и-р транзистора

8, эмиттер которого подключен к общей шине, коллектор через резистор 4 — к источнику постоянного отрицательного смещения — Lg, а через резистор 5 — к базе ll-p-fl Tpa»зистора 6.

Эмнттер транзистора 6 непосрелственно связан с,источ!гиком постоянного отрицательного смегцен1!!! — E., а коллектор соединен через резистор 7 с оощей шиной н через резистор 8 с базой p-n-р транзистора 9. Эмпттер пос;! еднс го !!о. 1кл !Очсн к оощсй !ц и !!с, а коллектор через резистор 10 — к источнику о постоянного отрицательного смещения — E> .и через резистор 11 к катоду туннельного диода 12, связанного непосредственно с базой р-и-р транзистора 18. Анод туннельного диода 12 и эмпттер транзистора 18 подключены

15 к общей шине, а коллектор транзистора 18 через резистор 14 подсоединен к базе n-p-n транзистора 15, эмпттер которого связан с источником постоянного отрицательного смещения — Lz, а через резистор 16 — к тому же .и сто ч ни ку.

Коллектор транзистора 15 подключен через резистор 17 к общей шине, через резистор 18 — к аноду .диода 7 с накоплением заряда и через резистор 19 — к оазе it-р-и транзистора 20. Одновременно оаза транзистора

20 через делитель на резисторах 21 и 22 соединена с источником постоянного положительного смещения +Е!. Эмпттер транзистора

20 через индуктивность 28 подсоединен и аноЗО ду диода 1 с накоплением заряда, а коллектор

432678 через резистор 24 связан с общей шиной и через резистор 25 переменного сопротивления— с источником постоянного положительного смещения +Е,.

В исходном состоянии транзисторы 8, б, 9, 13, 15 закрыты. Транзистор 20 открыт. Через диод 1 с накоплением заряда протекает прямой ток, накапливая заряд в его базе.

С поступлением входного сигнала отрицательной полярности на выходе т риггерного каскада, собранного на транзисторах 9, И, 15 и туннельном диоде 12, формируется отрицательный перепад напряжения, который одновременно поступает на базу п-р-п транзистора 20 и анод диода 1 с накоплением за|ряда.

Затем прямой ток, протекающий в эмиттерной цепи транзистора 20, прекращается не мгноаен но, а медленно уменьшается по величине с течением времени благодаря наличию индуктивности 28.

До того момента, пока величина прямого тока, уменьшаясь, остается большей, чем величина об ратного тока, в базе диода 1 происходит процесс накапливания заряда, причем величина обратного тока определяется как отношение отрицательного перепада .напряжения, действующего на выходе триггерного каскада, к сопротивлению резистора 18 и остается практически неизменной во времени величиной.

В момент, когда, величина прямого тока, уменьшаясь, становится меньше величины обратного тока, .начнется фаза высокой обратной проводимости, в течение которой происходит рассасывание заряда в базе диода 1.

По окончании фазы ipaccaсывания обратное сопротивление диода резко восстанавли вается. Формируемый при этом на аноде диода 1 с накоплением заряда отрицательный перепад напряжения резко открывает транзисторы 8 и 6.

Отрицательный перепад напряжения, возникающий ца коллекторе транзистора б, поступает на вход «сброс» приггерного каскада, вызывая его переключение в исходное состояние. При этом на коллекторе транзистора

15 формируется положительный перепад напряжения, который приводит к открыванию транзистора 20 и запиранию транзисторов 8, 6. При этом па коллекторе транзистора 6 формируется импульс с длительностью, определяемой временем задержки устройства от входа к,выходу.

Задержка же поя влеHèÿ этого, импульса относительно момента поступления сигнала па вход устройства слагается из величин: длительности фазы высокой обратной проводимости диода 1 с накоплением заряда,и времени, в течение которого прямой ток убывает до величины, равной обратному току, и зависит при прочих равных условиях от величины индукт и.в.ности 23.

В известном устройспве время задержки определяется только длительностью фазы высокой обратной, проводимости диода с накоплением заряда, а следовательно, всегда меньше, чем в предлагаемом.

Отличительной особенностью предложенного устройства является возможность одновременного формирования прямоугольных импульсов с плавнорегулируемой длительностью по основанию при действии на входе импульса короткой длительности, что достигается подключением соп роти вления нагрузки непосредственно к .коллектору .транзистора 15, кроме того, в нем,предотвращается просачивание формируемого на выходе импульса в цепь .источника входных сипналов. Это достигается тем, что цепь обратной связи подключена с выхода устройства не на его вход, а ко входу «Сброс» триггерного каскада.

Предмет изобретения

35 Устройство задержки импульсов,по авт. св. № 345600, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазола регулирования, возможности,работы в режиме одновибратора и предотвращения прохождения выходных им4О пульсов в цепь источника входных сигналов, устройство сна бжено дополнительным источником импульсного питания диода с накоплением заряда, выполненного на и-р-п транзисторном ключе, эмиттер которого через индук4> тпвность соединен с анодом диода с накоплением заряда, коллектор подсоеди нел к резисти вному делителю источника напряжения смещения, при этом анод диода с накоплением заряда через резистор соединен с выходом быстродействующего триггерного каскада.

432678

Составитель Е. Алексеева

Техред А. Камышникова

Редактор Т. Морозова

Корректор И. Симкнна

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

Заказ 250/567 Изд. № 1724 Тираж 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5