Композитный материал для пайки полупроводниковфонд з:ше?10в
О П И С А Н И Е (II) 42468l
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистицеских
Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 20.03.72 (21) 1761212/25-27 с присоединением заявки М (32) Приоритет
Опубликовано 25.04.74. Бюллетень ¹ 15
Дата опубликования описания 27.09.74 (51) Ч. Кл. В 23k 35 26
Государственный комитет
Совета Министров СССР
IIo делам изобретений и открытий (53) УДК 621.791.36 (088.8) (72) Авторы изобретения
И. И. Иоффе, Л. В. Мещерякова, Л. Л. Силин, В. В. Типикин, Г. Б. Федосова и А. Х. Черкасский (71) Заявитель
ИЦ б1т (та.1 L I)3 (54) КОМПОЗИТН"A "А ЕРИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Изобретение касается пайки.
Известен композ итный материал для па1вки полупро водников на основе свинца, в котором содержатся 11вердые частицы никеля.
Для снижени я те иперагуры пайки и ilolBIIшен ия качества паяного соединения без предварительной металлизации повермности содержание никеля составляет 25 — 75% от общего веса материала. Предлагаемым композиционным материалом возможно при низкой темвтературе получать соединения непосредствен но с кремнием без предварительной мсталлизац ии его поверхности.
Композигный материал представляет собой матр ицу из свинца с волокнами из никелевой про волоки, составляющей 25 — 75% от общего .веса материала. Соединение получается также при добавке из свинца порошкового никеля в той же пропорциями. При использовании предлагаемого,композиционного материала вьвсокопрочные и низкооататыс ко>нтакты готовятся при 330 — 370 С и выдержке при этой тсм пературс,в течение 10 — 20 мин под давленисм 1 — 5 кг/см . Сосд|шения получают за счет поверхностных явлений: фотоэлектрические преобразователи с глуб ипой залегания
p — а перехода около 1 мкм нс изменяют сВо5 и . арактерис1 ик после при11аЙки на их Iloверхностп токосъемов в виде ряда параллельных проволок. Пайке подвергается монокристаллический кремний р- и и-тио|а проводимости с удельным элсктросопротивленисм
10 1 — 2 ом.см с полированной поверхностью.
На участках поверхности кремния, смоченных припоем, замсчаегся мсталлизированный подслой.
Предмет изоб ретспи я
Koi»lo IITIIIII материал для пай|ки полупроводников на осисвс свтпгца, содержащий твердые частицы никеля, от 1 и ч а ю щи и с я тсм, что, с целью снижсн ия тсмп1ератуphl па1ы .и и
20 повышения качества паяного соединения без предварительной метал lизации llовсрxíocòè, содержание ипксля составляет 25 — 750(1 ог общего веса материала.
