Спусковое пороговое устройство

О П И--C- -А Н-И Е !II) 424312

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт, свидетельства (22) Заявлено 15.09.71 (21) 1697577 26-9 (51) !> 1 т(1 Н 03k 5 153 с присоединением заявки ¹

Гасударственный комитет

Совета Министраа СССР по делам изобретений и открытий (32) Приоритет

Опубликовано 15.04,74. Бюллетень ¹ 14

Дата опубликования описания 13.09.74 (53) УД1(621.317.7.083. .4 (088.8) (72) Автор изобретения

М. М. Матвеев (71) Заявитель

Ленинградское отделение центрального научно-исследовательского института связи (54) СПУС1(ОБОЕ ПОРОГОВОЕ УСТРОЙСТВО

Известно спусковое пороговое устройство для формирования сигналов управления и взаимодействия в устройствах электросвязи, преиз|уществснно в автоматических телефонных станциях (ЛТС), выполненное ца состав- 5 ном транзисторе, включенном по схеме эмпттср ного повторителя, которая содержит псPcII 1I0!i3TcJII> I> оазовой 11cllll вхоДпого тРапзистора и пороговый элс !ент в эмиттерцой

ЦСП П В I#0 1 I IOI O TP 31131!CT0P 3. 10

В большинстве приборов ЛТС сигналы упрлглснпя и взаимодействия передаются путем подачи и снятия потенциалов станционной батареи с помощью электрома IIIIl Ill>Ix реле, которые требуют значительной мощно- 15 сти в цепи управления, занимают оольшой объем, имеют ограниченньш срок слу)кбы и существенно осложняют сочетание с электронными устройствами из-за дребезга контактов, переходных процессов в цепях обмо- 20 ток и др.

Фор:.!ироваппе сигналов управления и взаимодействия известными электронными аналогами переключателей так)ке приводит и ряду затруднений, особенно при формировании 25 сигналов отрицательной полярности. Ооычно применяемые для повышения отношения величины выходного тока ко входному схемы составных транзисторов (например, состав-!

|ой эмиттерный повторитель из двух транзи- 30 сторов одного типа проводимости) не обеспечивают надежного заппрания выходного каскада в необходимом температурном диапазоне или требуют введения цсци смещения от особого источника, в которой постоянно расходуется значительная мощность.

С целью расширения температурного диапазона и пои>пиен||я надежности работы в предлагаемом устройстве пороговый элемент и последовательно соединенный с ним базо-! в0-эмиттерпьш перс;од выходного транзистора iin IIT«pniI31II I рсзпсторм; кроме того, тип

1!рог>одимости входпог0 транзистора противополо)ксц тину прог>одпмостп выходного транзистора.

1-13 чертеже дано предлагаемое устройство.

Устройство представляет собой двухкаскадпьш узел на транзисторах разного типа проводимости. Первый каскад на транзисторе 1

tI — р--1г типа проводимости включен по схеме с общим эмпттсром. Эмиттерный переход транзистора 1 шуптирован резистором 2.

Управляющая цепь этого каскада содержит рC31!Ст0р 3 и i(OIIT3кT 4 (зле|,тр011111>IÉ Е11II t>ICханпчсский). Коллекторная цепь транзистора ! первого каскада непосредственно соединена со вторым каскадом на транзисторе 5

p — и — р тина провод|и|ости, выполненным Io схе|ме эмпттерного повторителя. В эмиттер у|о цегш транзистора 5 включен пороговый

424312!

-!

Г*" ! !

Г, Г

j (7

1Сорректор Д. Орлова

11:!. Х-: 1-10(а

Г!(раж 811

Заказ 2322!Т

Под !»снос

7 I!,

В;1Р. :!0!ET 6 (папРимеР, . Erl03, II;111 сТВоН li!TP011), соединение порогового элемента б и бязовоэм иттерного переходя тр япзисторя 5 !!l,, нтировяно резистором 7. В»!ГГ(ериу!о цепь транзистора 5 вк«почепа нагрузка 8. В коллск- 5

Top!I!, 10 це1!ь Тр янзистОр 3 5 в! „ 110чеп IiiBKОомный резистор 9.

Устройство работает следу!ощп .i образом.

Первый каскад с транзистором 1 !!ри пгсутствпп тока управления I.. „BBI!plï благо- 10 даря шунт1(ровяппю эмп:тер о(0 псрсх 313 рс2 (изображен EK! p! I 3 II 1 схс l i f 113 срс»1!!!евом тря.i3;iñòîðñ 1). Пос- (и(!Сп!!с тока I.;,3 например, в резул1: ".тс зязс: !«Ипя базовой цепи через резистор 3 и электронный пли мcYBHHческий контакт 4 приводит к насыщению тра!!зистора 1. ток коллектора которого, нсобходимьш для управления выходным каскадоп с транзистором 5, ограпичивяpTc5l c34lHм этпм каскядо (1. В KB lестве pilll- 20 зистора 1 могут быть использованы мало IQIH,— ные высоковольтныс кремниевые тра:!зисторы, допускающие предельное напряжение между коллектором и эмиттером до 80 ——

1ОО В.

Транзистор 5 при выключении устройства заперт благодаря смещению эмиттерного lleреходя с ПОAlolllhEQ диодя б (илп друГОГО порогового элемента, например стабилитроilB) и шунтированию резистором 7. В каче- 30 стве транзистора 5 пригоден любой маломо1цпый германиевый транзистор, выдерживающий требуемый выходной ток и напряжение станционной батареи и переходных процессоВ. Резистор 7 выбирается достаточно да- 35 лого сопротивления, чтобы предотвратить отпирание порогового элемента б и эмпттерного перехода транзистора 5 под действием обратных коллекторных токов обоих закрытых транзисторов. В результате при запира- 40 нии транзисторов выходная цепь оказывается изолированной от всех источников питания, и работа станционных приборов — прие.,1н!1ков передаваемых устройством сигналов прп использовании предлагаемого порогового 45 устройства в технике ЛТС не паруша тся недопустимыми утечками.

Во включенном состоянии весь ток управлении второго каскада (базовы!1 ток и составляющая, обтека!ощая резистор 7) полез- 50 но используется в нагрузке 8 (в отличие от обычных ключевых схем, благодаря большого отношения тока в нагрузке I,, ê току I,»р, расходуемому на управление, даже при з;-шчительных выходных токах, ког гя усплс ие 55 транзистора 5 заметно падает.

Е4изкоомны1! резистор 9 вкл(оч ii 13 коллекторной цепи транзистора 5 во пзбс1каппс перегрева из-за мощности, рассспвяс., o-i пя коллекторпом переходе. Падение напряжения ор на этом резисторе достаточно для с.;!«1це!!и!!

IiepexuaB i(o3,3pI!TopB 3 . римо я направлении, т. е. Достижения режима насьпцения тран i!C ГOP 3.

Прсдл!1Гяс ioc (строп(твО, 11:(!итируlощсс коптшст, способ:.о ряз!и!вать в нагрузке необходимыс в пракг!!!(е 1елефопин токи (до неСКОЛ !,KIIX СОТСН М ПЛЛИЯ л(ГIЕР) HPH TOKBY и

P 3HЛС 11!Я СТОЛli КЕ .(I ЯЛ Ь1Х IСЯIС В СЛ7ЧBC ,I«!H0ë зопяппя «остави!.!", трапзис ТороН, но

0 .H «l!. -! IIB 1(«т .эп это:,1 1осжl!.,l пеР(1 л!Оч«1.1 и

ПЯДС . (>II (.Г«СЧIСОП 1; .IO«! 1 ГО-1110 ПП!ПОКО» д!!3113(зонc и.!1 спс Ия тсз!Исрятуры без с c-!

IBID. Иых ll(! o !Инков «:. «„,«и! я. В яс !И(1« Гп, l iP И ii)01111П(РО В Я I! 1!! l С ПГ! I i(ЛОБ О 1 jI IIUBTC. I>IIOIf .10л;rpi!Ocт,l усrpO!Icт(го оказывается более

; ешс!1ы: и и» (-1 уд,,1бную для сочетания с другll i и эле! - ронным:(oма.,1п цепь управ,-снпл (с1п.пал управлсшся и впдс заземления в .одной цепи) .

Пред»er изооретения

1. С1!усковое порогсвое устройство, выполНЕПНие Ня СОс"ГЯВИОМ траНЗИСтОрЕ, ВКЛЮЧЕНном по схеме эмиттерного повторителя, содержащее переключатель в базовой цепи входпо"0 транзистора. пороговый элемент в э иттерпой цени выходного транзистора, О т личающееся Tp>l, ITÎ, с целью расшиpell«H температурного диапазона и повышения наде.кности работы, последовательно соединенныс бязово-эмпттерный переход Eiblходпого транзистора и пороговый элсмент шунтпровяпы резистором.

2. Устройство по п. 1, отличаю щеес я —,с. то тип проводи:,IocTH входного транзистора противоположен тш!у проводимости

БЫХОДПОГО ТРЯГ!ЗИСТОРЯ.