Патент ссср 414705

тех",яме

„, теит "о у

4I4705

О П И Е

Союз Советски1т

Социадистимеских

Республик

ИЗОЬЕИтИНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 02.XI I.1971 (№ 1720249/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 05.11.1974. Бюллетень ¹ 5

Дата опубликования описания 10Х1.1974

М. Кл. И 031 3/34

Государственный комитет

Совета Министров СССР ла делам изобретений и открытий

4 .,лEi 621.375.024(088.8) Авторы изобретения Л. П. Домнин, A. П. Удовик, Д. П. Федоров и H. Н. Тонких

Заявитель

ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к операционным усилителям.

Известные операционные усилители на транзисторах одного типа проводимости, содержащие входной и промежуточный каскады, выполненные по дифференциальной схеме с генераторами тока, каскады смещения уровня с цепь|о температурной компенсации и мощный выходной каскад, имеют низкую помехоустойчивость.

В предложенном усилителе этот недостаток устранен за счет подключения базы транзистора генератора тока промежуточного каскада к цепи температурной компенсации каскадов смещения уровня, а коллектора транзистора обратной связи к эмиттеру упомянутого транзистора генератора тока через дополнительный транзистор, база которого подключена к цепи температурной компенсации эмиттера транзистора обратной связи.

На чертеже изображена схема усилителя.

В коллекторную цепь входного дифференциального каскада включены входы промежуточного дифференциального каскада на транзисторах 1 — 4.

Коллекторная цепь стабилизиру|ощего дифференциального каскада на транзисторах о, 6 включена в эмиттерную цепь промежуточного каскада и соединена с базой транзистора 7, установленного в цепи обратной связи входного дифференциального каскада. Коллектор транзистора 6 соединен с коллектором транзистора 7, и через резистор обратной связи входного дифференциального каскада эта общая коллекторная цепь соединена с положительным полюсом источника питания. Эмиттер транзистора 7 через диодно-резисторную цепь обратной связи на резисторах 8, 9, 10 и иоде 11 соединен с отрицательным полюсом

10 источника питания. К точке соединения резисторов 8. 9 подключена база транзистора 6, эмиттер которого соединен с эмиттером тран:Iистора 5 и через резистор подключен к отриI:ательной шине источника питания. База

15 транзистора 5 подсоединена ко второй диодно-резисторной цепи, состоящей из резисторов 12, 13 и диода 14 и подключенной одним концом к точке соединения резисторов 15 II

16, которые включены в цепь смещения уров20 ня, а другим — к шине отрицательного полюса источника питания, Транзистор 17 с резисторами 18, 19 и транзистором 20 составляют одну цепь смещения уровня; транзистор 21, резисторы 22, 23 и транзистор 24 — другую

25 епь смещения.

Между резистором 19 и транзистором 20 включен усилитель мощности на транзистоl)ax одинаковой проводимости, а между резистором 23 и транзистором 24 — другой анало30 гичный усилитель мощности.

414705

Сигнал, подаваемый па базы транзисторов входного дифференциального каскада, усиливается и поступает на базы транзисторов 1, 4 промежуточного дифференциального каскада.

С коллекторов транзисторов 2, 3 сигнал снимается на базы транзисторов 17 и 21 цепей смещения уровня. Усиленный сигнал подается с коллекторов транзисторов 20 и 24 на входы каскадов усилителей мощности, образующие дифференциальный выход, на котором достигается удвоение коэффициента усиления и четырехкратное увеличение мощности.

Для обеспечения стабильности и помехоустойчивости в усилитель включен дифференциальный стабилизирующий каскад па транзисторах 5, 6. При воздействии температуры появляется сигнал нестабильности на коллекторах транзисторов 2, 3. B общей точке соединения резисторов 15 и 16 этот сигнал суммируется и поступает на базу транзистора 5, соединенную с цепью термостабилизации„состоящей из резисторов 12, 13 и диода 14. Усиленный сигнал нестабильности в противофазе с коллектора транзистора 5 подается в цепь эми теров транзисторов 2, 3 на коллекторах которых частично компенсируется этот спгпал. Затем с эмнттера транзистора 5 сигнал нестабильности поступает на эмиттер транзистора 6, усиливается им и суммируется на коллекторе транзистора 7 с сигналом нестабильности, который поступает на базу этого транзистора с коллектора транзистора 5.

Суммарный спгпал подается в противофазе через пагрузочпые резисторы в коллекторных цепях входного дифференциального каскада а базы транзисторов 1, 4 промежуточного дифференциального каскада и компенсирует сигнал нестабильности, возникающий на входах операционного усилителя.

Цепь термокомпенсации на резисторах 9, 10, и диоде 11, подключенная к базе транзи5 стора 6, а также идентичная цепь термокомпеноации, подключенная к базе транзистора

5, обеспечивают температурную компенсацию ста6 ил изирущего дифференциального каскада.

10 При возникновении сигнала помехи на входах операционного усилителя и помехи в цепях питания возникает сигнал помехи на базе транзистора 5, который в дальнейшем компенсируется так же, как при возникновении

15 сигнала температурной нестабильности.

Предмет изобретения

Операционный усилитель на транзисторах одного типа проводимости, содержащий вход20 ной и промежуточный каскады, выполненные по дифференциальной схеме с генераторами тока, каскады смещения уровня с цепью температурной компенсации и мощный выходной каскад, причем между входным и промежу25 точным каскадами включен транзистор обратной связи, эмиттер которого подключен через цепи температурной компенсации к соответствующей шине источника питания, отличающийся тем, что, с целью повыше2{) пия помехоустойчивости, база транзистора генератора тока промежуточного каскада подключена к цепи температурной компенсации каскадов смещения уровня, а коллектор транзистора обратной связи подключен к д5 эмиттеру упомянутого транзистора генератора тока через дополнительный транзистор, база которого подключена к цепи температурной компепсации эмиттера транзистора обратной связи.

414705

С оста ви тел ь H. Дубровская

Текред Т. Курилко

Корректор E. Хмел."ва

1 сдактор Т. Орловская

Типография, пр. Сапунова, д. 2

Заказ 1 56 11 Изд. Хо 481 Тираж 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5