Патент ссср 413607
сО О. с..--- О П И Q p Q -g g Q) (QQQQ
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ! Зависимое от BBT. свидетельства ¹
Заявлено 05Х111.1970 (№ 1468425!26-9)
I с присоединением заявки №
Государственный камитет
Приоритет
Саеета Министрсв СССР
Il0 делам изоеретений
Опубликовано 30.1.1974. Бюллетень № 4 и юткрытий
Дата опубликования описания 17Х1.1974
УДК 621.373.43(088.8) Авторы изобретения
М. А. Анании, Е. Б. Алексеев и Ю. Д. Якушев
Московский ордена Ленина энергетический институт
Заявитель
ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ
Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано р стройствах наносекундного диапазона, устройствах вычислительной и радиоизмерительной техники.
Известен формирователь импульсов, содержащий диод с накоплением заряда, катод которого подключен к точке соединения двух змиттеров транзисторов различного типа проводимости, и туннельный диод.
Известный формирователь импульсов черезвычайно критичен к длительности заднего фрон|а импульса прямого смещения и переднегс фронта запирающего сигнала, требует, жесткой синхронизации импульсов и обладает низкой чувствительностью. Это приводит к плохой стабильности формируемых импульсов.
Целью изобретения является увеличение стабильности параметров сформированных импульсов.
Это достигается тем, что анод туннельного диода подключен к базам транзисторов различного типа проводимости, коллекторы которых через резисторы соединены с разноименными клеммами двух источников питания постоянного тока, а катод туннельного диода и анод диода с накоплением заряда подключены к общей клемме источников питания.
Изобретение поясняется принципиальной схемой. Формирователь импульсов содержит диод 1 с накоплением заряда, транзисторы 2, 3 различного типа проводимости, например транзистор 2 и-р-п типа проводимости, а транзистор 3 р-п-р типа проводимости, туннель5 ный диод 4, разнсторы 5 — 11 и разноименные клеммы 12, 13 двух источников питания постоянного тока, объединенных между собой общей клеммой 14. Анод туннельного диода
4 через резистор 6 подключен к базам тран10 зисторов 2, 3 различного типа проводимости, коллекторы которых соответственно через резисторы 5 и 9 соединены с разноименными клеммами 12 и 13 двух источников питания постоянного тока. Катод туннельного диода 4, 15 анод диода 1 с накоплением заряда подключены к общей клемме 14 источников питания.
Катод диода 1 с накоплением заряда подключен к то II c соединения змиттеров транзисторов 2, 3 различного типа проводимости. За20 пускающий сигнал через резистор 8 поступает на анод т .нне ibHQIQ диода 4.
Формирователь импульсов работает следующим образом. При поступлении зэпускающе25 го сигнала малой амплитуды и длительности туннельный диод 4, находившийся в устойчивом состоянии на туннельной ветви вольт-амперной характеристики, переключается в другое устойчивое состояние, и на его аноде воз30 никает перепад напряжения, который переда413607
Предмет изобретения
Составитель Г. Челей
Техред Г. Васильева
Коррскгор A. Дзесова
1зсдакгор Т. Ларина
Заказ 1315/15 Изд. ¹ 1244 Тираж 811 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Мииистроь СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4, 5
Типография, пр. Сапунова, 2 ется на базы транзисторов 2 и 3. Транзистор 2 .",ереходит в состоя нпе насыщения, транзистор ,д — — в состояние отсечки; поэтому через диод ! с накоплением заряда перестает протекать постоянный прямой ток, а протекает рассасывающий обратный ток, величина которо — î ollределяется напряжением источника питания и величиной сопротивления резистора 5.
На коллекторе транзистора 2 имеет место перепад напряжения от значения, no IIè раьвого напряжению источника пи"à íèÿ,,до пуля.
По окончании фазы высокой обратной проводимости диода 1 с накоплением заряда сопротивление последнего резко восстанавливается, транзистор 2 выходит из состояния насыщения, и на его коллекторе в14овь восстанавливается потенциал, равный напряженшо источника питания.
Фор.;1ирователь импульсов, содержащий диод с накоплением заряда, катод которого подклю5 чен и точке соединения двух эмиттеров транзисторов различного типа проводимости, разнопмсIlllI!c клеммы двух источни1сов питания постоянного тока, обьединеппые между собой общей клеммой, и туннельный диод, о т л и ч а10 о шийся тем, что, с целью увеличения стабильности параметров сформированных импульсов, анод туннельного диода через резистор подк,.почен к базам транзисторов различного типа проводимости, коллекторы кото15 р!х через резисторы соедипев с разноименными клеммагмп двух источников питания постоянного тока, а катод туннельного диода и анод диода с накоплением заряда подключены к общей клемме источников питания.
