Патент ссср 405817
О П И С А Н И Е () 4058I7 изоьеетения
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ г
Союз Советских
Социалистических
Реслублик (61) Зависимое от авт. свидетельства №вЂ” (22) Заявлено 16.Х11 1971 (21) (№ 1726578/23-26) (51) М, Кл. С 01Ь 19/00
В Olj 17/28 с присоединением заявки №вЂ”
Государственный комитет
Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (32) Приоритет— (43) О публиковано 05.XI.1973. Бюллетень № 45 (45) Дата опубликования описания 22.11.1974 (53) УДК 546.24 (088.8) (72) Авторы изобретения
Г. А. Юрлова и Т. М. Касаткина (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕЛЛУРИДА МЕДИ
Предмет изобретения
Изобретение относится к неорганической химии, а,именно к технологии из готовления полупроводниковых материалов, в частности теллурида мед и.
Известный полупромышленный способ изготовления теллурида меди заключается в сплавлении исходных элементов (меди и теллура) при температуре 950 —:1000 С в вакуумированных до 10 — " мм рт. ст. и запаянных ампулах в течение 1 —: 3 час.
Однако в известном способе медь взаимодействует с теллуром в неравновесных услов иях, поскольку взаимодействие меди происходит одновременно с жидким и с парообразным теллуром, Взаимодействие с парообразным теллером начинается при 350 С, т. е. до температуры плавления теллура, равной 450 С, и происходит во всем интервале температур, вплоть до 1000 С. При этом происходит образование целого ряда промежуточных фаз от
Си Тез до Си2Те с включением гранул металлической меди, т. е. образуется химически неоднородный гетерофазный материал.
Предлагаемый способ отличается от известного тем, что взаимодействие ведут между парообразным теллуром и металлической медью при непрерывной откачке. Это .позволяет получить однофазный и однородный по химическому составу полупроводникового материала.
Пример. В специальный отсек:реакцяонной кварцевой трубы загружают 300 мг теллура марки «04». Металлическую медь весом
200 л г помещают в кварцевой трубе íà ipасстоянии в несколько сантиметров от отсека с теллуром. Систему откачивают до давления
Р=10 — мл рт. ст. Сначала нагревают зону с металлической медью до 857 †8 С, после чего резко нагревают отсек с теллуром. В результате нагретая до заданной температуры медь взаимодействует только с парообразным теллуром в течение 8 мин. Затем отсек с теллуром резко охлаждают, а синтезированный теллурид меди нагревают при непрерывной вакуумной откачке пря температуре 860 С для удаления избыточных паров теллура. Полученный блок теллурида меди однофазен и однороден по химическому составу. По электрофизическим характеристикам материал представляет собой полупроводник р-типа с удель2О ным сопротивлением р =5,5. 10 — oм. см, подвижностью н = 125 см /s . сек, концентрацией
n=9. 10 9 см з
Способ, изготовления теллурида меди взаимодействием элементарных теллура и меди при нагревании в вакууме, отличаюшийся тем, з0 что, с целью получения однофазного и одно405817
С, cT3 B H1 f . 8. Курд ин
Техред Л. Богданова
Редактор С. Титова
1(орректор A. Дзесова
Заказ 236/13 Тираж 523 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5
Тип. Харьк фил. пред. «Патент» родного по химическому составу полупровод,никового материала, взаимодействие ведут между парообразным теллуром и металлической медью при непрерывной откачке,
