Патент ссср 404815

(Щ 4048)5

Со»оз Советск ы х

Соцыалыстымескых

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидстельства— (22) Заявлено 24.01.72 (21) 1740800/26-9 (51) М. Кл. С 04Ь 35, 00

Н 01g 3/09 с присоединением заявки №вЂ” (32) Приоритет—

Опубликовано 22.Х.1973. Бюллетень № 44

Дата опубликования описания 09.VII.1974

Государственна!й комитат

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (53) УДК 621.319.4 (088.8) (72) Авторы изобретения

H А. Андреева, В. И. Жуковский и И. М. Морозова (71) Заявитель (54) СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Титанат бария

Окись висмута

Пятпокись нпобпя

Двуокись церия

91 — 98,5

0,45 — 4,5

1 — 3,5

0,05 — 1

Изобретение относится к области технологии произво.(ствя радиоаппаратуры п может использоваться прп изготовлении керамических конденсаторов.

Известен сегнетокерамический материал, преимущественно для изготовления конденсаторов, содержащий титанат бария, окись висмута, пятиок (сь ниобия и двуокись церпя.

Однако известный сегнетокерамический материал имеет недостаточно высокое значение диэлектрической проницаемости (» не превышает 2000).

Целью изобретения является повышение дпэлектричес ой прон(!цявмостп материала.

Это достигается тем, что в предлагаемом

МЯТЕРПЯЛЕ 1!СХОДНЫЕ КОМПОНЕНТЬ(ВЗЯТЫ В СЛЕдующем количественном c00TI(o(I(PHIIII, вес. %:

Титанат бария 91 — 98,5

Окись висмута 0,45 — 4,5

H 51 TII 0 K I I Cb I I I IOO !15(1 — 3,5

Двуокись церия 0,05 — 1

Компоненты размалывяют и оформляют заготовки конденсаторов, которые после этого спскяют прп температуре 1300 — 1360 Г.

Величина диэлектрической проницаемости предлагаемого сегнетокерамического материала составляет о=2300 — 2600.

Изменение емкости в интервале температур от — 60 до +125 С конденсаторов, изготовленных из предлагаемого материала, не более --!20%.

10 Предмет изобретения

Сегнетокерамический материал, преимуственно для изготовления конденсаторов, содержащий титанат бария, окись висмута, пятиокись ниобия и двуокись церия, отличаю(1!1!1(ел тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, исходные компоненты взяты в следующем количественном соотношении, вес. %: