Способ перемещения цилиндрических магнитнб1х доменов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

399Oi0

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зави;имое от авт. свидетельства М

3; явлено 12.1.1972 (,<<(1<-10255 18-24) с нрн<оединением з;<явки М

11рноритет

Оп, О ) tt)OBI< Bc< 2 <.1Х,1)) < ). В<од )е < н),", 1.<

Дата опубли) анании описания 12.11.197-(.Ч. Кл. 6 llc 11< 16

Гасударстаеииы )(амитат

Сааета (<(ииистраа CCCP

f)o делам изааратаиий и атирыти)!

УДK 681.325.65(088,8) Анторы изобретения

А. Я. Червоненкис, А. В. Антонов и А. M. Ьалбашов

Московский ордена Ленина энергетический институт !

Заявитель

СПОСОБ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕС

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

3)РЕ I.<)0))LCI)IIB)ii CII(iCOO OT)H)CH IC:! )L 0().1:1CT)l

ВЫЧИСЛИТ ;I!i)10)1 I Е .НИКИ И МОЖ(. т 01>1) ii )ICП 0; Ь 3 0 В;1 Н fl () H l i Î C T (3 O C. l t t i i Л 0 Г t i « (. C K t ) (l t 3;< Н 0минающих устройств на цилиндрических магии)ных домен)х (ЦМД).

Известны способы перемещения 1(<ЧД в пластине 0;i Iioocl)010 ферромагне ика II)"< ем приложения Iloc o IHIIÎIo поля смещения нормально к пластине и переменного упр;-

11едост атком известны.; способов ян.! Ие < c I их значительна;t энергоемкость и Ограниченное быс)роде!!ст))ие, по связано с необходимостью преодоления )L03())LH3)II)llocти домеilной стенки, дос!ига)ошей на 1)paxT»I велиBHit 1 э и выше.

Целшо изобретения является снижени<. энергоемкос1и системы управления 11. 31Д и повышение ее быстродействия.

Поставленная цель дос3иг!!етс<1 ну)ем 1ого, по постоянное поле смещения модулируют переменным сигналом с ч!!сто!Ой, превышающей часто!у управляющего поля, и с амплитудой не более 50<0 от величины пос.го:ittного поля смещения.

Су!цнос3ь предложенного способа состоит в следующем.

В пластине одноосш<го ферромагне)ика, вырезанной нормально к магнитной оси и

cIlаОженн0й !!ерма.l.locвы.,<и апBГlиh.llfия.,)ii., приклад) н3. !)О Г нос 1 О. )liliое 110лc смещени I, 1(вправленное вдоль м;!Гни)ной ОсН. В плоскости пластины прш ;I;«IBают переменное управляющее поле, приводящее к перемещсншо доменон. 11остоянное ноле смещения модулируют переменным снгн;)лом с амплитудой, составляющ(й не б(лее 5",0 ()T 1)еличины поля см(щения. (аст(гió модуляции можно менять в шир )ки.; прc. LcëBõ от звукового до ультраЗВI hоно((3 Дllt<п!1 3011<1.

При ие()е3 енн нии (Р),1 по указ;!н!юму способу )Ic()cìctt)) i) B составляюн)ая поля смещеi I и! < н (31< в « i и т к э ф ф е кт <(р;) с к; < к и .) до . е) t ) t L I ( стенок, осущ с 13л;<)оц)ик нри этом мнкроосцилл.шин !)ок()м!. р;<внонесног(3 положения. Такая (

j j jl Е . 1 М Е 1 И 3 О 0 (3 (. Т Е Il lf 51

Способ перемещения нилин:)ри )вских магнитных доменов В пластине (дноосного фер25 ромагне Ик» пу)ем приложения постоянного полл сме)цени 1 норм:)льH0 к пластине и перемени(»о 3 пр;и<ля кицего поля в плоскости пластины, or 1!!«и<ош)!йг) тем, !то, с цел)ио снижения энергоемкости и понышеш)я быстзО родействия, llolc3(<янн()е поле смещени,l моду3990!О

Состани)ель Ю. Розенталь

Тсхрсд Л. Богданова

Редактор Б. Нанкина

Корректор Н. Стельмах си) к а.) 2! 4 1 Изд. ¹ 2010 Тира)к Б)76 11о пп)снос

ЦНИИПИ Государственного комитега Совета Министров СССР

l1o делам изо!)ретсний и открытий

Москва, Ж-35, Раушск!)я наб., д. 4,5! ипография, пр. Сапунова, 2.!1Иру)от пере)!е1111ым сигнала.)! с частотой, преГ)ы !и<110!Цси I 3cT()T) УLIPII!Iл 511011!его Il() 151, и с амплитуд!)й ие бо !ее 5 ;, от Г)ел!1чи11ы п„ст!)II I I I I (I l ) Гl о . 1 51 с м е и 1(1 1 1 51 .

Способ перемещения цилиндрических магнитнб1х доменов Способ перемещения цилиндрических магнитнб1х доменов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к магнитным материалам, а именно, к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалов

Изобретение относится к области металлургии, а именно к магнитным материалам, в частности к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалам

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП)

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах
Наверх