К авторскому свидетельству
;:„„.*„„;„ „ :,"."„"„ О П И С А Н И Е
397835
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. G 01n 27/76
Заявлено 25,Х.1971 (№ 1708070/26-25) с присоединением заявки ¹
Гасударственный комитет
Совета Министров СССР на делам изобретений и аткрытий
Приоритет
Опубликовано 171Х.1973. Бюллетень ¹ 37
Дата опубликования описания 29.1.1974
УДК 538.214 (088.8) Авторы изобретения
ВПТБ
ФИЦ ": ;.. .!: :I оо
А. И. Лихтер и Л. 3. Понизовский
Институт физики высоких давлений АН СССР
Заявитель
СПОСОБ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ ОБРАЗЦОВ
СИНТЕТИЧЕСКОГО АЛМАЗА ется формулой:
W=V.— а Н, 2
Предлагаемое изобретение относится к производству алмазных инструментов.
Известен способ неразрушающсго контроля при отборе образцов синтетичсского алмаза, заключающийся в визуальном определении количества включений, влияющих на прочность образца. Основными недостатками этого способа являются субъективность оценки количества включений, а также невозможность его применения для образцов алмаза, непрозрачных для видимого света.
Предлагаемый способ основан на определении корреляции между механическими свойствами образца синтетического алмаза и его электрическими и магнитными характеристиками, например, между абразивной способностью образца и поглощением этим образом энергии высокочастотного электромагнитного поля. Корреляция может быть установлена также при измерении магнитной восприимчивости на частотном цикле образца синтетического алмаза и изменения величины этой восприимчивости при наложении на образец постоянного магнитного поля. Перечисленные физические характеристики зависят От количества и размера примесей в образце синтетического алмаза.
Поглощение образцом энергии высокочастотного электромагнитного поля определя5 где W — энергия, поглощаемая образцом о — частота электромагнитного поля. а" — мнимая часть магнитной восприимчивости всщества примеси;
V — общий объем примеси;
1о Н вЂ” напряженность магнитной составляющей электромагнитного поля, Величина я зависит от отношения r/6, где r — размер частиц примеси; б — глубина скин-слоя, и магнитной проницаемости веще15 ства примеси 11. Таким образом, величина 1Г пропорциональна произведению общего количества примеси в образце на функцию, зависящую от размера частиц примеси.
Магнитная восприимчивость хЛ на частотном цикле образца зависит от общсго количества примеси в образце и магнитной проницаемости и вещества примеси, а изменение величины хЛ при наложении на образец постоянного магнитного поля — от соотношения размеров частиц примеси и магнитного домена.
Совместное измерение трех указанных величин позволяет Определить коли !сство и размеры примесей в образце синтетического
30 алмаза.
397835
Составитель Г. Слуцкая
Техред Т. Курилко
Редактор Т. Орловская
Корректор А. Дзесова
Заказ 50/13 Изд. № 16 Тираж 755 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Предлагаемый способ заключается в следующем.
Образец синтетического алмаза вводится в катушку настроенного в резонанс высокочастотного (60 мгц) резонансного контура.
Определяется изменение тока в контуре, однозначно связанное с удельным поглощением образцом электромагнитной энергии А.
Затем образец вводят в одну из катушек низкочастотного (400 гц) дифференциального трансформатора и определяют напряжение разбаланса U и изменение этой величины AU при наложении на образец постоянного магнитного поля Й (Й=500 —:1000 э). Величина U пропорциональна средней по образцу магнитной восприимчивости хЛ, а величина
В= связана с размерами частиц примеси.
УЛ
Для корреляции с электромагнитными свойствами механических свойств образцов можно использовать, например, абразивную способность Q, определяемую как отношение веса материала абразивного круга, снятого при обдирке круга алмазным образцом, к потере веса самого образца. Пригодными для использования в инструменте считают образцы алмазов, имеющих Q)100.000 (Q определяется с точностью до 20% ).
Таким образом, описанный способ дает возМо?KH0cTb отбирать с вероятностью 85 — 90% пригодные для использования в инструментах образцы синтетического алмаза. Для этого достаточно установить соответствующие интервалы, в которых должны лежать величины А, хЛ и В образцов, полученных по данной технологии.
15 Предмет изобретения
Способ неразрушающего контроля образцов синтетического алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения количества и размеров включений, 2О измеряют удельное поглощение образцами энергии высокочастотного поля, магнитную восприимчивость при наложении постоянного магнитного поля и при его отсутствии, по которым судят о прочности образцов.
