Полупроводниковое устройство
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (iр397Il8
Союз Советских
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 26.03.71 (21) 1634185/26-25 (51) М. Кл.з
Н OIL 27/13 с присоединением заявки №
Государственный комитет (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.08.82. Бюллетень № 32 (45) Дата опубликования описания 30.08.82 (53) УДК 621.382 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения (71) Заявитель
Л. H. Александров, P. Н. Ловягин и А. И. Торопов
Институт физики полупроводников Сибирского отделения
АН СССР (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО
Изобретение относится к активным приборам на основе МДП-структуры и схемам микроэлектроники.
Известны приборы со структурой металл,диэлектрик-полупроводник, но практически вся микроэлектроника базируется на кремнии, так как быстродействующие МДПструктуры на германии невозможно получить из-за неустойчивости поверхности германия покрытой окисной пленкой. Однако кремний обладает малой подвижностью электронов и дырок, что ограничивает быстродействие схем. Возможность применения германия для создания МДПструктур потенциально расширяет частотную область работы активных приборов и быстродействие схем микроэлектроники.
Целью изобретения является расширение ,частотной области применения МДП-струк туры путем использования в качестве основы совершенного монокристалла германия.
Поставленная цель достигается образованием на поверхности германия пленки кремния, продолжающей совершенную кристаллическую структуру германия, на основе которой сформирована диэлектрическая йленка. Толщина кремниевой прослойки между германием и границей диэлектрик — решетка кремния много меньше толшины пространственного заряда в германии.
Совершенные пленки кремния толщиной
20 — 1000 А на германии получены методом ионного распыления кремния в вакууме при таких температурах, когда свойства германия не изменяются: образование диэлектрической пленки достигается реак1р тивным распылением (возможны другие известные методы) .
Предложенная МДП-структура состоит из металла, полупроводника-монокристалла германия, сверху которого нанесена
15 тонкая в 30 — 100 А монокристаллическая пленка кремния, на основе которой сформирован диэлектрик. Толщина пленки кремния существенно меньше длины Дебая в используемом германии. Такая прослой2р ка кремния используется с целью сочленения решетки кремния с диэлектрической пленкой с малой плотностью состояния на границе их раздела для управления концентрацией носителей тока в области пространственного заряда в германии.
Фор мул а изобретения
Полупроводниковое устройство МДПструктуры на основе монокристалла герЗр мания и диэлектрика — двуокиси кремния, 397118
Техред А. Камышникова Корректор Е. Михеева
Редактор Л. Письман
Заказ 1180/9 Изд. № 208 Тираж 758 Подписное
НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 отл и ча ющееся тем, что, с целью расширения его функциональных возможностей, между указанными слоями расположена монокристаллическая пленка кремния, толщиной меньше длины Дебаевского экранирования в германии.
