Омическое сопротивление малых значений

 

О П И-(:- A Н И-Е 394733

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от 3вт. ОВ!Ндетег!ьствя,, х

Заявлено 11.Vl l 1.1971 (;-(е 1694452, 18-10) . ) !.Кл. G Olr 27,! 00 с пр.)соед;!нен!Пса! зяязки ¹

Го)лдарственн))!й к)) митвт

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий

П р и!) р1:!тст—

Опубликовано 22.Vill.1973 Ь1()Г!лс1,пь ¹ 34 УД) ; 621.3.028 (088.8)

Дата опубликования описан:;! 03.).)97-) ЛВТОРЫ

1!зобретеии я

А. А. Гербер, А. А. Мамонов, Л. Э. Дегтярь, Л. М. Зафрина, 3, И. Зеликовский и В. Н. Танасов

Сибирский государственный научно-исследовательский институт метрологии и Кишиневский научно-исследовательский институт электроприборостроения

Заяв)пели

ОМИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ МАЛЫХ ЗНАЧЕНИИ

11зобретсн !с очнсснпгся к области электропзМЕP„ IТСЛЬ)lой ТЕХ)ЩИ(11 If МОЖЕТ ОЫТЬ ИСПОЛ ЬЗ()-!

33»0 в измерительных цепях переменнОГО Tof(3 па 1астотах до нескольких десятков мегагерц.

11звсстпы Оми !P"кис сопротивления малых значен fff, Выполненные по четырехзажимной схеме подключения с мап)итной связью между токовым:» и потенциальными цепями, в которых, осуществляется компенсация реактивной составляющей падением напряжения при помощи э. 11. с. взаимной индуктивнсстп, павсд.— мой в потенциальной цепи током, ffpoTpf(BI<)щим по токовой цепи.

Известныс четырехзажимные сопротивления, характер;1зуются значительной IfãðBHHOìpðíoстью частотной характеристики как по активной, TBK H реактиВной ссстаВля)ощим, ITÎ 06 ь5!CklЯPTCЯ ВЛИЯ!НИЕМ СПИН-ЭффЕKTЯ, ПОСКОЛblСУ как резистпвпый элемент, так и потенциа lbпые компенсирующие цепи имеют зна)птел:— пый поперечный размер.

С целью расширения частотного диапазона

Г)редлагаемое омическое сопротивление малых зíа;1cíifй выполнено в,виде параллельно соединенных внутренних проводиHI(o!B, рав!номер5но распределенных по образующим цилиндра 01pc31(!)B ВысскссмнОГО коаксиальпОГО миь ропровода, причем один из потенциальных выводов сопротив,fpffHff образован параллельно соедп1!еиныыи про!10:15!Lllflì» нс1рмжными Обо,)0 !кrlи:I отрезки!! 1(0

На чертеже пзооражено предлагBc мое оми:!егкое сспрот!IHëåHHå малых значений.

СопротивлPH!! P м!1»)х значений вкгпочает ерампческое основание 1 цплп;)др:)чсской формы, ня котором закреплены Верхи;и 2 и

:»1жний 3 ко:!такт лые узлы.

Равномерно по периметру параллельно обl0 ря;ующей керамп)еского основания размсщеifl l OTpC3l(11 раВНОй Q,IHHbf Высскосмного кояк. П!1, !1>11 )ГО а|11!(Р,)ПРОВОДЯ, 1(ОТО РЫ 0 COÑÒOIIT 113 це)герального проводника 1, д:1аметром

)Π— -2.10 .1!.11, 1)ыполнепного пз Вы окоомпог )

1, мятерпа13,:1апример янган!Ня, стеклянной

:!золян .1П 7 и Рнешпей проводящей обо loчки ().

С помощью узкого ивяного шва Т:fçëp!.l(!! Пл!)Вкс) 0 ПОППОя ППЖние HOHIkbl 06!), IO IC I(f):I внутренние проводпш(и 4 электрически и

2<) з)еханически соед)гиены с нижним контактнь)м узлом ) и между собой. С помощью паяного

i»33 ) !fPРХHlfP I(() lllbl BHl TPPffHIf. ПРОВОДННКОВ элсктри:lpc.,1:l механически соединены с

:-::рхн:1М 1(оптаке»ым tçrfoì H 13!!% треннпм Hf)оводником коакспаля 9.

11яяньи шов 10 соединяет электрически и мех я; I! i !pc!(f f Ве р. (11ие концы Обсло|1 ок () межд) собой и с внешним проьоднпком кояксияля 9.

1 Я ст()янис межд1 швами 8 и 1!) Пе;!Олжff! превышать 1 —;-2 .)!.)п

394733

Си«);)и . .и, Б. Ко))п)ип р д()итор Л. Но!.оселова 1 ()рре: тор Л. Васильева

ЗК(1 II.i Y 1нп!! Ти1) I т м I 1« гии; ииII! Il illl Ill 1 и«) (()р«ти.ив и и )÷:ï«);) (:оиет,) )1ии:.(()1) !и (:(.C.Ð! и ) ) «! i. : ., i!:! «Ã «:::: è:. е ()(1) ы )! i (!.)10«((,i;;. /1 ., 1 и :)! !!«1.,:ÿ ии6.. д. 1,:.) (и И 1«ги>.;!«)(««) I!1): .!.l«)!: ), ), .!, ио:)и.-i!,и ф il i(!i: l.l!!!II !««.:

Е()акоиал 9 образует потенциальные выводы сопротивления, п роводники 11 и 12-токовые.

Б силу тесной индуктивной связи ме)кду центра lbHbIM проводником 4 и оболочкой 6 (толщина изоляционного стеклянного слоя,) не превышает 2.10 .нл) э.д.с. взаимной дукцни, на водимой общим манн!итпым потоко l в оболочке 6, практически равна э.д.,с. ca)TO;T дукции в центральном провод1(пке 4, а так ка. эти э.д.с. включены встречно, то происходит нх взаим)ная компе(нсация.

Предмет изобретен.(я

Оми!!еское сопротивлени(е малых зпа lp.:l:ill, выполи)епное 110 четырехзажпм цой схеме подкл)очснпл с маг).ит)ной связью между токовым.l потепцпальнымп цепямп, отияпю1(ееся тем, то, с целью расширения частотного дпапазо1!а. опо вь)полнено в ьнде параллельно соединена)ых BHóòðåll:!HY проводников, равномерно рас. рсделе(рных по образующим ц11ли ндра отрезкоз высокоом.ного ноак)спального микропровода, причем од11н Н3 потенциальных BbIBo10 дов сопротивления образован параллельно соединенным;1 проводящими пару кными 000л 0 (к а м ! 0 j) 8 3 H o L) к О 11 кс 11 а л ы l О г 0 м и к)р О п р 0вода.

Омическое сопротивление малых значений Омическое сопротивление малых значений 

 

Похожие патенты:

Шунт // 392423

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в приборах для измерения неэлектрических физических величин посредством емкостных, индуктивных или резистивных датчиков

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в приборах для измерения неэлектрических физических величин посредством емкостных, резистивных или индуктивных датчиков

Изобретение относится к технике электрических измерений и предназначено для профилактических испытаний изоляции крупных электрических машин и аппаратов, имеющих большую постоянную времени

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерений в электронике СВЧ

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к технике измерений макроскопических параметров сред и материалов, и, в частности, может использоваться при неразрушающем контроле параметров диэлектрических материалов, из которых выполнены законченные промышленные изделия

Изобретение относится к области электрических измерений в электроэнергетике и предназначено для косвенного определения напряжения прикосновения (шага), возникающего в аварийных режимах электроустановок

Изобретение относится к технике измерений с помощью электромагнитных волн СВЧ диапазона и может использоваться для дефектоскопии строительных материалов различных типов с различной степенью влажности

Изобретение относится к устройствам для измерения свойств жидкостей, в частности удельного электрического сопротивления

Изобретение относится к измерительной технике, в частности, может быть использовано для измерения диэлектрических характеристик веществ с помощью емкостного или индуктивного датчика
Наверх