Способ контроля дефектности диэлектрических
39I455
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 24.1.1972 (№ 1743769/26-9) М. Кл. G Oln 27/00
Н 05k 3/00 с присоединением заявки №
Гасударственный камите1
Севета Мииистрое СССР па делам иаойретеиий и сткрытий
Приоритет
Опубликовано 25.V11.1973. Бюллетень № 31
Дата опубликования описания 28.XI.1973
УДК 621.315.61:620.179 (088.8) Авторы изобретения
П. T Орешкин, А. И. Перелыгин, А. П. Колесников, Е. А. Морозов, А. К. Тлеубаева, А. А. Васютин и Н. И. Акованцева
Рязанский радиотехнический институт
Заявитель
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ПЛЕНОК
Предлагаемое изобретение относится к способу контроля дефектности диэлектрических пленок на металлических и полупроводниковых подложках и может быть использовано для контроля электропроводящих дефектов и пористости изолирующих пленок при производстве конденсаторов, полупроводниковых приборов, интегральных схем, для оценки качества слоев фоторезиста, диэлектрической пленочной изоляции.
Известен электрографический способ контроля пор и других электропроводящих дефектов диэлектрических пленок на полупроводниковых и металлических подложках,,заключающийся в том, что при пропускании тока в системе катод — подложка — диэлектрическая пленка — фотоэмульсионный слой фотобумаги, смоченной в деионизованной воде,— анод в эмульсионном слое образуется скрытое изображение дефектов.
При проявлении и закреплении эмульсионного слоя фотобумаги получается видимый отпечаток дефекта, характер изображения которого зависит от времени выдержки, напряжения и других факторов.
Недостатками известного способа являются несоответствие конфигурации дефекта диэлектрической пленки отпечатку на фотобумаге, трудность в определении местоположения дефекта непосредственно на диэлектрической пленке и подложка, малая разрешающая способность, Целью ттзобретения является точное определение конфигурации дефектов, повышение
5 разрешающей способности.
Достигается она тем, что диэлектрическую пленку на проводящей подложке приводят в контакт с электролитом, электролитически осаждают металл на дефектах диэлектриче10 ской пленки, селективно травят ее и регист,рируют по виду осажденного металла конфигурацию и распределение дефектов на проводящей подложке.
Диэлектрическую пленку приводят в кон15 такт с электролитом, на который подают положительный потенциал. В качестве электролита (анода) применяют металл соответствующей соли, находящейся в электролите, или платину, на подложку (катод) подают отри20 цательный потенциал. Пропускают электрический ток через систему катод — подложка — диэлектрическая пленка — электролит — анод. В ,результате этого в местах электрапроводяших дефектов осаждается металл, который повто25 ряет кон фигурацию и .распределение этих дефектов.
По конфигурации и распределению осажденного металла судят о дефектности диэлектрической пленки. Затем селективно травят ди30 электрическую пленку и регистрируют конФч391455
Предмет изобретения
Составитель Э. Гилинская
Техред 3. Тараненко
Корректор Е. Хмелева
Редактор Т. Иванова
Заказ 3112/4 Изд. № 848 Тираж 755 Подписное
ЦНИИПИ Государственного Комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 гурацию и распределение металла на проводящей подложке. Так как электрический ток, проходящий через дефекты, пропорционален их сечению, то и количество осажденного металла пропорционально сечению дефектов. Диаметр ионов металла находящихся в электролите, гораздо меньше сечения дефектов, поэтому металл осаждается в местах самых мелких дефектов.
Разрешающая способность увеличивается и может достигать до 10 дефектов на одном квадратном сантиметре, а,конфигурация и местоположение дефектов на диэлектрической пленке (подложке) .может сохраняться неограниченное время.
В качестве электролита применяют стандартные электролиты для меднения, лужения, никели.рования и т. д.
Способ контроля дефектности диэлектрических пленок на проводящих подложках аропусканием электрического тока через исследуемую систему и регистрацией дефектов по виду осажденного металла, отличающийся тем, что, с целью точного определения конфигурации дефектов и повышения разрешающей способl0 ности способа, диэлектрическую пленку .на проводящей подложке приводят в контакт с .раствором электролита, 1производят электролитическое осаждение металла на дефектах диэлектрической пленки, се1пективно травят ее и
15 регистрируют по виду осажденного металла конфигурацию и распределение дефектов на проводящей подложке.