Люл1инесцентная лампа повышенной интенсивности
О П И С А H И Е 3895Ó2
ЙЗОБРЕТЕН ИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое or авт. свидетельства №
Заявлено 26.1.1972 (№ 1742692/24-7) с присоединением заявки №
М. Кл. Н ОЦ 61/26
Гасударственный комитет
Совета Министров СССР по делам изооретений и открытий
Приоритет
Опубликовано 05Х11.1973. Бюллетень ¹ 29
Дата опубликования описания 21.Х1.!973
УДК 621.327.534.032.14 (088.8) Автор изобретения
l
;I
1
В. Г, Воос
Заявитель
ЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ ЛАМПА ПОВЫ1ДЕН НОЯ
ИНТЕНСИВНОСТИ
Изобретение относится к газоразрядным приборам, в частности к люминесцентным лампам с оксидным катодом на основе окислов щелочно-земельных металлов.
Известна люминесцентная лампа, у которой для уменьшения появления темных налетов и анодных пятен на концах колбы вследствие выделения кислорода из люминофорного слоя и оксидного покрытия при работе лампы применен геттер в виде тонкоизмельченного порошка титана и никеля, либо сплава, содержащего помимо указанных компонентов железо и алюминий.
Указанный геттер наносится на никелевые стойки для крепления катодов или экраны, приваренные к стойкам в плоскости расположения катодов, имеющих достаточно высокую температуру при работе лампы.
Предлагаемая люминесцентная лампа повышенной интенсивности снабжена оксидными электродами на основе окислов щелочноземельных металлов, катодными экранами и введенным внутрь лампы геттером для абсорбции выделяющегося при ее работс свободного кислорода.
Особенностью предлагаемой лампы, обеспечивающей предотвращение образования на внутренней поверхности колбы налетов окиси ртути, является то, что катодные экраны выполнены с отверстиями на своей боковой поверхности, служащими для пропуска атомов щелочноземельцых металлов, расин ляющихся с катода и образующих на близко к последнему расположенной поверхности концентри5 рованный слой этих металлов, служащий геттером для поглощения свободного кислорода. При этом с целью локализации распыляющихся щелочноземельных металлов против отверстий в боковой поверхности катод10 ного экрана размещен дополнительный экран, электрически изолированный от катода.
На фиг. 1 показана конструкция предлагаемой люминесцентной лампы; на фиг. 2— конструкция той же лампы с дополнительным
15 экр а нам.
Электродный узел люминесцентной лампы состоит из оксидного катода 1, одного или двух катодных экранов 2, соединенных электрически с оксидным катодом и имеющих
20 одпо или пссколько отверстий 8 в своей боковой поверхности, и теплового дискового экрана 4, изолированного от катода изоляторами
5. Через отверстия 3 в боковой поверхности катодного экрана 2 щелочноземельные мстал25 лы, распыляющиеся скатода, выходят извнутренней полости катодного экрана и оседают на участок колбы лампы вблизи катода, образуя на поверхности колбы слой вещества б, служащий геттером для поглощения свобод30 ного кислорода. Температура колбы в зоне
389572
Предмет изобретения Риа /
ФФ2. 2
Составитель М. Лойш
Texpep, T. Курнлко
Редактор В. Фельдман
Корректоры: В. Брыксина и В. Жолудева
Заказ 3014/7 Изд. № 759 Тираж 780 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 расположения слоя геттера равна 180 — 200 С.
При такой температуре щелечноземельные металлы не образуют амальгамы с ртутью и эффективно поглощают кислород.
Электродный узел люминесцентной лампы (фиг. 2) состоит также из оксидногокатода1, электрически соединенного с ним катодного экрана 2 с отверстиями 8 в. боковой поверхности и теплового дискового экрана, изолированного от катода изоляторами 5.
Дисковый экран имеет отбортовку 7, перекрывающую отверстия в боковой поверхности катодных экранов и образующую дополнительный экран, на котором оседают щелочноземельные металлы, выходящие из отверстия в боковой поверхности катодного экрана. Это предотвращает образование непрозрачного слоя геттера .непосредственно на колбе лампы и улучшает ее внешний вид. Температура IIIOверхности дополнительного экрана не превышает 450 С, благодаря чему исключается испарение геттера с дополнительного экрана.
Люминесцентная лампа предлагаемой конструкции может иметь резко очерченный непрозрачный слой (пятно) геттера в ее практически несветящейся части вблизи катодов.
В этом слое и локализуются компоненты газового наполнения лампы, обычно вызываю1цие потемнения ее люминофорного покрытия.
Этим предотвращается потемнение люмино4 форного покрытия всей лампы и уменьшается спад светового потока в процессе эксплуатации лампы.
1. Люминесцентная лампа повышенной интенсивности с оксидными электродами на основе окислов щелечноземельных металлов
10 с катодными экранами и введением внутрь лампы геттером для абсорбции выделяющегося при ее работе свободного кислорода, отличающаяся тем, что, с целью предотвращения образования на внутренней поверхно15 сти колбы налетов окиси ртути, указанные экраны выполнены с отверстиями на своей боковой поверхности для пропуска атомов щелочноземельных металлов, распыляющихся с катода и образующих на близко к послед20 нему расположенной поверхности концентрированный слой этих металлов, служащий геттером для поглощения свободного кислорода.
2. Люминесцентная лампа по п. 1, отлича25 ющаяся тем, что, с целью локализации распыляющихся щелочноземельных металлов, напротив отверстий в боковой поверхности катодного экрана размещен дополнительный экран, электрически изолированный от като30 да.
![Люл1инесцентная лампа повышенной интенсивности](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/412/4121912-s.jpg)
![Люл1инесцентная лампа повышенной интенсивности](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/412/4121913-s.jpg)