Способ плавной обратимой перестройки частоты упругого резонанса колебаний твердого тела
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Соеетскил
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ” ,Заявлено 09.Х11,1970 (№ 1603i337/18-10) М. Кл. G 01h 13!00 с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 14.VI.1973. Бюллетень № 26
Дата опубликования описания 17.IX.1973
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 534.63(088 8) Автор изобретения
В. И. Щеглов
Заявитель
СПОСОБ ПЛАВНОЙ ОБРАТИМОЙ ПЕРЕСТРОЙКИ ЧАСТОТЫ
УПРУГОГО РЕЗОНАНСА КОЛЕБАНИЙ ТВЕРДОГО ТЕЛА
Изобретение относится к области приборостроения и может быть применено в технической акустике и других областях техники, использующих механические колебания твердых тел.
Известные способы плавной обратимой перестройки частоты упругого резонанса колебаний твердого тела используют изменение геометрии колеблющегося тела и не обеопечивают достаточной точности и ширины диапазона перестройки частоты.
Предложенный способ отличается от известных тем, что в качестве колеблющегося твердого тела используют монокристалл гематита, помещают его в постоянное по величине магнитное поле, направление которого относительно монокристалла,изменяют.
Этот способ позволяет расширить диапазон изменения частоты упругого резонанса.
Способ реализуется следующим образом.
Монокристалл гематита, колебания в котором возбуждены по всему объему, на|пример, при помощи катушки помещают в постоянное по величине магнитное поле. Поворачивая затем кристалл относительно напра вления магнитных силовых линий достигают необходимой перестройки частоты упругого резонанса монокристалла.
10 Предмет изобретения
Способ плачевной обратимой перестройки частоты упругого резонанса колеба ний твердого тела, использующий возбркдение колебаний во всем его объеме, отличающийся тем, 15 что, с целью расширения диапазона изменения частоты упругого резонан-à,,в качестве твердого тела используют монокрнсталл гематита, помещают его в постоянное по величине магнитное поле, направление которого
20 относительно монокристалла изменяют.
