Регистр сдвига с зарядовой связью

0 П И С-А-Н И Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 25,V!.1971 (№ 1673417/18-24) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 05ЛЧ.1973. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 12ХП.1973

М. Кл. G Ilc 19/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681.332.65(088.8) Авторы изобретения

В. Г. Фильков, А. И. Патрашин и Л. А. Вьюков

Заявитель

РЕГИСТР СДВИГА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ

Изобретение относится к области микроэлектроники.

Известны регистры сдвига на приборах с зарядовой связью.

Однако в таком регистре наличие необходимых изолирующих промежутков между отдельными электродами создает потенциальные барьеры для неосновных носителей и затрудняет их перетекание из-под одного электрода под следующий.

Кроме того, из-за наличия этих барьеров перетекание носителей происходит медленно и не полностью.

Целью изобретения является уменьшение потерь неосновных носителей при передаче заряда от электрода к электроду и увеличение быстродействия, за счет устранения потенциального барьера в межэлектродных областях и создания там локального тянущего поля.

Эта цель достигается соединением электродов между собой с помощью резистивного слоя.

На фиг, 1 схематически изображено предложенное устройство, на фиг. 2 — картина потенциальных ям под электродами.

Устройство представляет собой пластину полупроводника 1, покрытую слоем диэлектрика 2, на который нанесена однослойная система электродов 8 — 8, подключенных к шинам источника трехтактового питания

9 — П.

На систему электродов нанесен резпстивный слой 12, соединяющий электроды между

5 собой. Пластина 1 снизу имеет заземленный омический контакт. Резистивный слой может быть нанесен и на диэлектрик, но тогда электроды нанесены на резистивный слой. Этот слой выполнен, например, из CdO илп спла10 ва МЛТ.

Устройство работает следующим образом.

Предположим, что в момент времени t=4 на шину 9 подан потенциал такой, что под электродами 8, б, подключенными к этой шине, 15 образуется глубокая потенциальная яма (фиг. 2, а), в которую собираются носители, находившиеся в окрестности этих электродов.

Из-за наличия падения напряжения вдоль резистивного слоя 12, края ям наклонны, 20 т. е. глубина ямы линейно падает в межэлектродном промежутке, что и ускоряет собирание носителей. В момент времени 1= f>+T (где Т вЂ” длительность импульса) подается потенциал на шину 10, а на шине 9 он падает.

25 Потенциальная яма образуется под электродами 4 и 7, а под электродом 8 6 она уменьшается (фиг. 2, б), что соответствует передвижению ямы вдоль структуры (фпг. 2, в, г) в направлении, указанном стрелками на фиг. 2.

30 Края ямы пологие, поэтому переход ямы про376811

11

Фыа

Составитель P. Яворовская

Техред Т. Ускова Корректор Л. Чуркина

Редактор Л. Утехина

Заказ 192575 Изд. № 445 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская паб., д. 4j5

Типография, пр. Сапунова, 2 исходит плавно, а так как в меяэлектродном промежутке тянущее поле сохраняет свою величину, меняя знак, это спосооствует более быстрому и полному переносу носителей вдол ь структур ы.

Предмет изобретения

Регистр сдвига с зарядовой связью, содержащий МДП-структуру и выполненный в виде слоя полупроводника, на который через слой диэлектрика нанесен ряд электродов, подключенных к шинам питания, отлииаюи ийся тем, что, с целью уменьшения потерь

5 передаваемого заряда и увеличения быстродействия, электроды связаны между собой резистивным слоем.