Способ измерения электросопротивления ионообменных мембран

 

370662

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Саватснин

Соииалистичеснин

Республин

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 18ЛИ.1971 (№ 1634907/18-10) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 15.ll.1973. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 18.IXT.1973

М. Кл. Н Olg 9/22

G 01r 27/00

Комитет по делам изобретений и отнр1пий при Совете Министров

СССР

УДК 621.319.42(088.8) Авторы изобретения

Заявитель

В. В. Крюченков, П. И. Горшков и T. Д. Игнатович

Специальное конструкторское бюро Всесоюзного научно-исследовательского института источников тока

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭДЕКТРОСОПРОТИВЛ ЕН ИЯ

ИОНООБМЕННЫХ МЕМБРАН

Изоб|ретение относится к области электроизмерительной техники и касается измерения электрического соп ровивления набухания в воде ионообмениых мембран.

Известные способы измерения электросопротивления увлажненных,ионообменных мембран заключаются в том, что электросопроти вление мембраны измеряется с помощьто электродов, непосредственно прплегающих к поверхности мембраны. Однако в результате смешения раствора .и влаги, содержащейся в по рах мембраны, происходит резкое изменение электропроводности мембраны. Поэтому электросопротивление набухших в воде ионообменных мембран измеряется очень неточно.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что с целью уменьшения контактного сопротивления, пространство между электродом и мембраной заполняется полиэлектролитом по составу одинаковым с мембраной.

К роме того, с целью повышения точности измерения полиэлектролит используется в виде геля.

На чертеже представлено устройство, осуществляющее предлагаемый способ.

Для измерения электросопровивления набухших B воде ионообменных мембран используется ячейка, содержащая две секции 1 и 2 с внутренними цилиндрическими камерамп. Секция 1 жестко крепится на кронштейне

8, секция 2 имеет возможность поступательного движения относительно первой. На фланцах секций ячейки расположены кольца 4 и 5

5 из электропроводящего материала для исключения краевого эффекта. Внутри камер помещаются подвижные электроды б и 7.

При измерении мембрана 8 размещается между секциямп ячейки. При Вынутых элбк10 тродах в цилиндрические камеры вводится полпэлектролпт в виде геля.

Последнее позволяет свести к минимуму возможность вытеснения влаги из пор мем15 браны.

Сближая электроды ота оптимальное расстояние с целью получения необходимой чувствительности излишки полпэлектролпта вытесняют пз камер через отверси я, располо20 женные в верхней части ячейки.

Измерение электросопротивленпя осуществляется при подключении электродов в электрическую схему измерения.

После удаления мембраны производится

25 повторное измерение электросопротивления ячейки, заполненной полпэлектролптом, при том же расстоянии между элекпродами, что и с мембраной.

Величина электросопротивленпя набухшей

30 в воде ионообменной мембраны определится, 370662

Составитель Г. Невская

Техред Г. Дворина Корректор Т. Журавлева

Редактор Т. Драгун

Заказ 1006/10 Изд. № 267 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 как разность между электросопротивлением ячейки с мембраной и ячейки без мембраны.

Предмет изобретения

Способ .измерения электросопротивления ионообменных мембран, например, набухших в воде, заключающийся,в том, что мембрану помещают в раствор электролита и измеряют сопротивление мембраны с электролитом, отличаюи ийся тем, что, с целью повышения точности, пространство между электродом и мембраной заполняют полиэлектролитом, на5 пример, в виде геля, вид которого выбирают одинаковым с видом ионообмен ника, привитого к мембране.

Способ измерения электросопротивления ионообменных мембран Способ измерения электросопротивления ионообменных мембран 

 

Похожие патенты:

Л // 370470

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в приборах для измерения неэлектрических физических величин посредством емкостных, индуктивных или резистивных датчиков
Наверх