Способ очистки поверхности подложки
Союз Саввта>!и>
Социал>>атичва»и» рвапуолии
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”
Заявлено 09.111.1971 (№ 1632431, 29-33) с присоедиие!Пнем заявки М—
П р нор>г!.е T—
Опублш;»и;l>1» 08,1.1973. 111». >. í l c»ь Лв 6
Дата опуоликоваиия описания 19.X 1.!973.
М.КЛ. С 03с 17/06
Комитет па делам иэаарвтв»и» и аткрв!тим при Саввтв 1>1иииатрав
СССР>
УГ(К 666 1 056(088 8) Авторы изобретени51
Ь. Н. Ильин и Л, К. Кривцов
Ивановский химико-технологи>1еский институт
Заявитель
СПОСОВ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОД,ЛОЖКИ!
11зос>ретеиие относится к способу очистки
lI0.l5c,pxI10cTи подложки,,па кото>рую наносят пленку металла конденсацией его паров в высoком,вакууме.
Известны способы очистк;1 поверхност>и подложки обработкой тлеющим разрядом в атмосфере остаточны.; газов или инертпого газа.
ИЗВестиа та1,же Оч!Пстка ПОпной oolloapдирОВкой В газовом разряде.
Цель изобретеавия — улучшить очистку и
I1c>Ðý ь> си 1 ь !IдГсзи10 >мета ° Iл 1 и подло. к ке.
Достигается это тем, что оч>истку иоверх—
IIOCTII ИОДЛОЖК>И ПРОИЗВОДЯТ ИопаМИ ТОГО Же металла, который наносят на поверх>ность подлоукки копдеисацие1! еТ0 пароВ.
Очищать ионами конденсируемого металла в высоком вакууме можно lIoBBpxHocTb любой по>дло5ккп одновременно с началом кондеиcа ции его или перед ией.
110иы металла могуT I>hITh получены 110бым известным способом. Так, например, для получен:>я ионов некоторых металлов использу>от капиллярно-дуговой источник металла, 5 пзготовлеиный из тантала и графита.
Очистка поверхиост5и производится в высоком вакууме (1О .>!.!! От. ст. и менее), что сводит Дo м;1нимума адсорбцшо остато-Ill!i#
11> 10 ° > иа подлОж
11 р e:д >,I е т и 3 О I> p е т е и и 51 (llоссб 0 -1 истин ПОВОр. ;!!Ости подл05кки перед:làllecelгием па иге плеш и металла в ва-!
5 кууме путем ионной бомбардировки, отличаюи!!!!!05! тем, что, с целью улучшения очистгои 11
ПОВЬ11нен".15! адГези>I . >1еталла и подложее, Очи стку производят ионами металла, пленку котоРОГО затем !la>loc>IT Il a повер." ность под 105кк;>,
