Полупроводниковое устройство
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ПАТЕНТУ
Сова Соватскик Ссцкалистическиа
Респтблик
Зависимый от патента ¹
М. Кл. Н 05k 3/00
Заявлено 02.XI I.1970 (№ 1603773/26-9)
Приоритет 02.1.1970, № 13, США
Комитет ио делам иаобретеиий и открытий лри Ссвате Мииистроа
СССР
УДК 621.3.049(088.8) Опубликовано 13.XII.1972. Бюллетень № 2 за 1973.
Дата опубликования описания 13.II.1973
Автор изобретения
Иностранец
Эдвард Джозеф Боулки (Соединенные Штаты Америки) Иностранная фирма
«РКА Корпорейшн» (Соединенные Штаты Америки) Заявитель
ПОЛУЛРОВОДНИ КОВОЕ УСТРОЙСТВО
Изобретение относится к технологии изготовления компонентов радиоаппаратуры и может быть использовано в логических системах и в устройствах накопления информации.
Известно полупроводниковое устройство, содержащее матрицу на диодах, выполненную на основе кремния, в которой контактные площадки диодов выполнены из алюминия, золота или никеля, а соединение диодов с матрицей производится с помощью плавких соединителей. В таком устройстве для отсоединения диодов от матрицы требуется значительное напряжение, что может привести к выходу из строя других элементов матрицы.
Целью изобретения является уменьшение напряжения электрических токов, необходимых для отсоединения диодов от матрицы. Это достигается тем, что между контактными площадками и выводами диодов размещен промежуточный соединитель, выполненный из одного из элементов четвертой группы таблицы
Менделеева, например германия, свинца, олова или легированного кремния.
На чертеже изображено предлагаемое полупроводниковое устройство, вид сверху и разрез по А — А. Оно содержит подложку 1, которая в зависимости от назначения устройства может быть изготовлена из металла, диэлектрика или полупроводника. Одна сторона подложки плоская, а на другой расположены параллельные полосы 2, образующие матрицу, выполненную па основе кремния а-типа проводимости. Полосы 2, по периметру которых расположен изолирующий слой 8, например, двуокиси кремния или азотистого кремния, имеют расширенные участки 4, к последним присоединены микровыводы б. Матрица содержит диоды б, расположенные в ряды и колонки, Полупроводниковые пластинки 7 диодов б имеют при10 садки до проводимости р-типа. Каждый ряд диодов матрицы снабжен одним общим выводом 8, который в местах присоединения микровывода 9 имеет расширенную площадку 10.
Присоединение диодов б к выводам 8 осущест15 вляется через промежуточные соединители 11, выполненные пз одного из элементов четвертой группы таблицы Менделеева, например германия, свьнща, олова или легированного кремния, If присоединенные к контактным площад20 кам 12 диодов, выполненным из алюминия, золота или никеля. Площадки 10 образуют связующие прокладки И, каждая из которых содержит слой 14 из кремния, изолирующий слои
15 из того же материала что и слой 8, и м:25 таллический слой 1б, Предмет изобретения
Полупроводниковое устройство, содержащее матрицу на диодах, выполненную на основе
30 кремния, в которой контактные площадки дио362553
Составитель Г. Чепей
Текрсд Т. Ускова
Редактор Т. Юрчикова
Корректор А. Степанова
Заказ 241j16 Изд. № 1028 Тираж 404 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР
Москва, )K-35, Раушскаи наб., д. 4j5
Типографии, пр. Сапунова, 2 дов выполнены из алюминия, золота или никеля, отличающееся тем, что, с целью уменьшения напряжения электрических токов, необходимых для отсоединения диодов от матрицы, между контактными площадками и выводами диодов размещен промежуточный соединитель, выполненный из одного из элементов четвертой группы таблицы Менделеева, например германия, свинца, олова или легированного
5 кремния.

