Патент ссср 358287

Авторы патента:

А. В. Скропышев, А. Л. Кукуй, И. А. Золотухин , В. П. Ставровский

C30B33/10 - в растворах или расплавах

О П И СА

ИЗОБРЕТЕНИЯ

НИЕ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 05Л.1971 (№ 1618225/29-33) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано ОЗ.Х1.1972. Бюллетень № 34

Дата опубликования описания 19Л,1973

М. Кл. С 03с 25/06

В 286 5/06

Комитет по двлэм нэобрвтвннй н открытий прн Совете Министров

СССР

УДК 679.86.002.2(088.8) Авторы изобретения А. В. Скропышев, А. Л. Кукуй, И. А. Золотухин и В. П. Ставровский

Заявители Ленинградский ордена Ленина и Трудового Красного Знамени горный институт им. Г. В. Плеханова и Экспедиция № 20 Всесоюзного шестого производственного обьединения Министерства геологии СССР

СПОСОБ ПОЛИРОВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИСЛАНДСКОГО

ШПАТА

Предмет изобретения

Изобретение относится к обработке кристаллических материалов.

Известен способ полирования кристаллов исландского шпата путем обработки их соляной кислотой. 5

Недостатком такого способа является сравнительно невысокая отражательная способность отполированной поверхности, что затрудняет определение дефектов внутри пластин. 10

Цель изобретения вЂ” повысить качество полирования кристаллов.

Это достигается тем, что полирование проводят в герметически закрытой емкости под давлением, создаваемым, например, раство- 15 ром соляной кислоты с углекислым кальцием, помещенным в сосуде внутри емкости.

Сущность способа заключается в том, что кристаллы погружают в герметически закрытую емкость с раствором соляной кислоты 20

4% -ной концентрации с углекислым кальцием, помещенным в отдельном сосуде внутри емкости. Давление в емкости создается за счет реакции измельченного углекислого каль2 ция с соляной кислотой, которая происходит в сосуде. Время травления кристалла 3 вЂ” 5 мин, давление в емкости 1 вЂ” 1,5 атм.

Давление, создаваемое при травлении кристаллов выделяющимся при реакции углекислым газом, способствует снижению скорости реакции травления, уменьшению выделяющихся пузырьков СО> и частичного растворения их в растворе соляной кислоты, применяемой для травления. В результате поверхность пластин кристаллов обрабатывается равномерно без ямок травления.

Способ полирования кристаллов исландского шпата путем обработки их соляной кислотой, отличающийся тем, что, с целью повышения качества полирования кристаллов, поли- рование проводят в герметически закрытой емкости под давлением, создаваемым, например, раствором соляной кислоты с углекислым кальцием, помещенным в сосуде внутри емкости,

Способ полировки кристаллов хлорида серебра // 2311499

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике

Способ получения атомно-гладкой поверхности подложки арсенида галлия // 2319798

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам приготовления атомно-гладких поверхностей полупроводников

Способ обработки оптических элементов из селенида цинка // 2338014

Изобретение относится к способам обработки массивных (диаметром до 200 мм) оптических элементов из селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных СО 2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн

Способ предэпитаксиальной обработки подложек из оксидов // 2010044

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам обработки подложек из оксидов, в частности из фианита, и может быть использовано в производстве эпитаксиальных структур, преимущественно с соединениями ВТСП (высокотемпературных сверхпроводников)

Способ травления монокристаллов метаниобата лития // 2039134

Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающему возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов метаниобата лития, используемых в электронной технике

Способ травления монокристаллов танталата лития // 2040601

Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов танталата лития, используемых в электронной технике

// 358871

Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита // 1345685

Способ локального химического травления монокристаллических пластин марганец-цинковых ферритов // 1382056

Изобретение относится к приборостроению, электронике и радиоэлектронике, может быть использовано в технологических процессах локального травления и позволяет обеспечить анизотропность травления

Селективный травитель для граней {110} кристаллов парателлурита // 1445280