Элемент памяти

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСХОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Согаз Советских

Социалистических

Ресоублих

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

М, 1(л. 6 11с 11 42

Заявлено 22.11.1971 (№ 1631257/18-24) с присоединен:ем заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 23.Х.1972. Бюллетень ¹ 32

Коггитет ло делагг изобретеиий и открытий ори Совете гбииистрав

СССР

УД1(681.327.66 (088.8) Дата опубликования описания ЗО.Х1.1972

Автор изобретения

Б, И. Цилибин

Заявитель

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относится к оптоэлектронике и вычислительной технике и может быть использовано для записи информации в виде оптических сигналов или модулированного электронного луча.

Известен элемент памяти на .ЧДП-структуре с поляризующимся диэлектриком, в котором запись информации осуществляется в виде электрических сигналов.

Предлагаемый элемент памяти отличается от известных тем, что для обеспечения возможности записи информации в виде оптических сигналов и модулированного электронного луча на слой поляризующегося диэлектрика последовательно нанесены слои фоточувствительного полупроводника и неполяризующе гося диэлектрика, суммарный импеданс которых так соразмерен с импедансом слоя поляризующегося диэлектрика, что при неосвещенном затворе падение напряжения на слое поляризующегося диэлектрика меньше напряжения поляризации (деполяризации) и при освещенном затворе — больше. Это позволяет записывать информацию в виде оптических сигналов или модулированного электронного луча.

На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, на фиг. 2 — эквивалентная электрическая схема предлагаемого устройства; на фиг. 3 — упрощенная электрическая схема; на фиг. 4 — графики зависимости от времени t: а) управляющего напряжения т ; б) интенсивности света I, падающего на затвор; !

a) падения напряжения Ъ,с на обедненной области фоточувствительного полупроводника; г) падения напряжения на слое поляризующегося диэлектрика.

Устройство представляет собой полупроводниковую пластину 1, например, из кремния

Si р-типа с удельным сопротивлением 0,01 оя, на которую последовательно нанесены слои: поляризующегося диэлектрика 2, например, сеитрида кремния SiqN„; фоточувствительного полупроводника т, например, кремния Si c удельным сопротивлением 22 ком; неполяри зующегося диэлектрика 4, например, двуокиси кремния SiO>, металла 5, например, золота

Ап, вьвполненного;в виде полугпрозрачиой пленки. Слой металла используется в качестве электрода управления — затвора, на который подают изменяющееся управляющее на пряжение V, на пример, треугольной формы.

25 На полупроводниковую пластину 1 нанесены электроды б и 7, омические или в виде p — тпереходов, которые служат в качестве электродов считывания — истока п стока.

Эквивалентная электрическая схема предлагаемого устройства представляет собой цепь

356692

Предмет изобретения т"и а) ь кр т кр кп

J а) 7л с,г

С4

z) Фис. Л

Составитель И. Горелова

Техред Е. Борисова

Редактор Л. Василькова

Корректор Е. Миронова

Заказ 525,2007 Изд. ¹ 1555 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )f(-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» последовательно соединенных параллельных

RC-цепочек (диэлектрика 4 — R4C4, области, обедненной носителями, в полупроводнике 8—

КовСою, образующейся на границе с диэлектриками 2 или 4 в зависимоспи от поляр ности на пряжения V, подаваемого на затвор и исток, диэлектрика 2 — КзСе) и сопротивлений полупроводников 1 — R, и 3 — Кз.

В случаях использования в пластине 1 и слое 8 низкоомных полупроводников эквива- 10 лентная схема представлена в упрощенном виде.

При подаче на электроды б, 7 напряжения

V в слое полупро1водника 3 на границе с диэлектриком 2 или 4 (в зависимости от полярности на пряжения V) образуется область, обедненная носителями. При некотором значении внешнего напряжения (U,ð) импеданс области, обедненной носителями, возрастает, например, из-за увеличения толщины области. При неосвещенном запворе на пряже ние U пракрически равно сумме падений напряжения на области, обедненной носителями, 14о полупроводника 8 и на слое 2 поляризующегося диэлектрика U,, причем напряжение U меньше порогового напряжения +.Un поляризации (деполяризации) диэлектрика.

При освещении затвора им1пульсами света импеданс обедненноя области уменьшается, падение напряжения U увеличивается и при интенсивности света I, большей некоторой пороговой интенсивности 1„может превысить на пряжение <-U„. В этом случае происходит запись (стирание) информации.

При записи информации с помощью модулированного электронного луча, которая имеет место в случае применения элемента памяти в передающих и приемных электронно-лучевых трубках, принцип действия элемента памяти аналогичен.

Элемент памяти, выполненный на МДП— структуре с поляризующимся диэлектриком, отличающийся тем, что с целью обеспечения возможности записи информации в виде оптических сигналов и модулированного электронного луча, на слой поляризующегося ди электрика последовательно нанесены слои фоточувствительного полупроводника и неполяризующегося диэлектрика.