Пульсное делительное устройство

351224

О П И СА Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К,вкВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Ссввтсиик

Социалистичесиик

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 09.11!.1971 (Л 1630725/18-24) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опхбликовано 13.1Х.1972. Бюллетень № 27

Кл. G 06@ 7/16

Комитет по делам изооретений и открытий при Совете Мииистров

СССР

УДК 681.335.513(088.8) Дата опубликования описания 26.IX.1972

БИБАБО В А

Э. И. Султанов, Р. Ш. Нигматуллиь и М. A. Замковой

Авторы изобретения

Заявитель Казанский ордена Трудового Красного Знамени авиационный институт

ВРЕМЯ-ИМПУЛЬСНОЕ ДЕЛ ITEJIbHOE УСТРОИСТВО

Изобретение относится к импульсной и вычислительной технике, в частности к устройствам для получения отношения двух величин, заданных в виде непрерывного электрического сигнала.

Известно устройство для получения отношения двух напряжений во время-импульсной форме, содержащее одновибратор, нуль-орган, ограничитель амплитуды с RC-накопителем, Цель изобретения — упрощение устройства для получения отношения электрических величин.

Это достигается тем, что в концентрационный электрохимический диод с резким восстановлением обратного сопротивления в течение фиксированного промежутка времени инжектируют неосновные носители напряжением делимого и вытягивают неосновиые носители li2npamet nei де.пителя, в результате чего получают отношение электрических величин в виде импульсов, длительность которых пропорциональна этому отношению.

На чертеже приведена принципиальная схема устройства для время-импульсного деления электрических величин.

Устройство состоит из коммутатора входных сигналов иа транзисторах 1, 2 и резисторах 8, 4, электрохимического диода 5 с резким восстановлением обратного сопротивления (ЗХД) и формирователя выходного сигнала

HH транзисторе 6. Принцип работы устройства основан на процессах, происходящих при переключении концентрационного электрохимического диода в прямом и обратном направ5 л . ниях.

В случае приложения к диоду прямого смещения на шнается ннжекция иеосиовных носителей в объем электролита, Наличие высокой концентрации неосновиых носителей вблизи

10 микроэлектрода резко уменьшает обратное сопротивление диода. После переключения диода на обратное направление неосновные носители оеспрспятственно вытягиваются. По внешней цепи 11po l t é T бо и ьшой обратный ТоК. До Tt -x.

15 пор пока концентрация неосновных носителей вблизи микроэлектрода не упадет до нуля, вели шна обратного тока диода ограничивается .пишь сопротивлением нагрузки, включенным последовательно с диодом, Когда избыточная

20 концентрация неосновных носителей вблизи микроэлектрода равна нулю, происходит резкое восстановление обратного сопротивления, падение напряжения на диоде резко возрастает.

25 На вход устройства для деления поданы тактовые импульсы ТИ пîпожительиой поляр ности длительностью т с отрицательным смещением, на коммутатор — напряжение делимого UI положительной полярности и напря30 жение дел|леля U. отрицательной полярности, 35!224

Предмет изобретения Qsx — " 1>—

Выход

Составитель T. Озерова

Техред Е. Борисова

Корректор А. Васильева

Редактор И. Грузова

Заказ 3206,.2 Изд. ¹ 1285 Тира>к 406 Подписное

Ц1(ИИПИ Комитета по делам изобретений II открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

В исходном состояшш транзистор 1 заперт, транзистор 2 открыт, на диод 6 ги базу транзистора б,подано отрицательное смещение, пропорциональное V>. Диод смещец в запорном направлении, транзистор 6 открыт. Тактовый импульс положительной полярности запирает транзистор 2, и отпирает транзисгор 1.(По цепи резистор, 3, участок коллектор — эмиттер транзистора 1 начинается инжекцпя пеосновных носителей в диоде, транзистор 6 запирается.

Ток, вызывающий накопление неосповных носителей, где R — сопротивление резистора 3, значительно большее сопротивления транзистора в открытом состоянии и сопротивления диода в прямом направлении. .Величина накопленного заряда

По окончании. тактовых импульсов ТИ на диод подается отрицательное смещение, вызывающее р ассасывание накопленного заряда.

Ув живых — а 1—

Я 11 где R — сопротивление резистора 4, равное сопротивлению резистора 3; т1 — длительность времени рассасывания неосновных носителей, в течение этого времени падение напряжения на диоде мало и транзистор 6 остается запертым, По окончании процесса рассасьввания падение напряжения на диоде резко возрастает, транзистор 6 открывается и цепью база — эмиттер ограничивает обратное напряжение на диоде.

На выходе устройства получается прямоl tîëüíûé импульс, длительность которого равна сумме длительностей ТИ и времени расса10 сываш я неосновных носителей.

В идеальном случае

U т1 U (2 ) U

R R

15 -.,= — +1

Таким образом, длительность импульса на выходе устройства для деления электрических величин пропорциональна отношению этих ве20 личин.

Время-импульсное делительное устройство, 25 содержащее коммутатор входных сигналов на двух транзисторах, формирователь выходного сигнала на транзисторе и электрохимический диод, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства,,в нем один из электродов

30 электрохимического диода соединен с эмиттерами транзисторов коммутатора входных сигналов и базой гранзистора формирователя выходного сигнала, а другой электрод — с оощей шиной нулевого потенциала.