Низкотемпературный резистивный датчик температуры
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ABTOPCNOAAY CBMPETEJlbCTBV
347593
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 28.11.1969 (№ 1321682/18-10) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет
Опубликовано 10.Ч111.1972. Бюллетень № 24
Дата опубликования описания 22 VIII.1972
М. Кл, G Olk 7/22
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 536.531(088,8) Авторы изобретения
Л. И. Анатычук, В. И. Лах, О. Я. Лусте и Б. И. Стаднык
Заявитель
НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЪ|Й РЕЗИСТИВНЪ|й ДАТЧИК
ТЕМП ЕРАТУРЫ
Изобретение относится к области термометрии и может найти применение в устройствах для измерения, контроля и регулирования температуры. Датчик температуры представляет собой резистивный датчик с рабочим интервалом температур 4,2 — 30 К.
Известны низкотемпературные резистивные датчики температуры — угольные и полупроводниковые термометры сопротивления.
Угольные сопротивления отличаются высокой чувствительностью при достаточно низких температурах. Однако, если их нагреть до комнатной температуры и затем вновь охладить, они обнаруживают гистерезисные эффекты и поэтому требуют повторной регулировки при каждом новом низкотемпературном измерении.
Цель изобретения — обеспечение термической стабильности и воспроизводимости показаний датчика и повышение точности измерения.
Это достигается тем, что датчик изготовлен из монокристалла CdSb с анизотропной электропроводностью в виде плоского круглого диска, вырезанного в крисгаллографической плоскости (100), с четырьмя контактами, расположенными на концах двух взаимно перпендикулярных диаметров диска, составляющих угол 45 с главными кристаллографическнмн осями, а в качестве термометрического свойства выбирается анизотропня электропроводности.
На фиг. 1 показана схема датчика; на фиг.2 — температурные зависимости парамегра анизотропин a= — " (крпвая 1) и электро"22 проводности кристалла о=) о33а22 (кривые 2, 10
Предлагаемый датчик (фиг. 1) представляет собой монокристаллическую пластину круглой формы, вырезанную нз кристалла CdSb в крпсталлографической плоскости (100) .
15 В этой кристаллографической плоскости вдоль оси 001 электропроводность 033 в несколько раз превышает электропроводность о3 в перпендикулярном направлении, т. е. вдоль оси 010.
Четыре электрических контакта, используемых для пропускания тока и измерения напряжения, расположены на концах двух взаимно перпендикулярных диаметров диска, составляющих угол 45 с направлениями осей 010 и
001. Такая ориентация системы контактов обеспечивает наиболее высокую точность определения анизотропии электропроводности, т. е. 99 отношения а=—
"22
347593
Предмет изобретения
70 с 070>
07) га- 3
Ф иг. 1
Составитель И. Дубсон
Техред 3. Тараненко
Корректор T. Китаева
Редактор И. Грузова
Заказ 2586/14 Изд. № 1129 Тира>к 406 Подписное
Ц1-1ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР
Москва, >1(-85, Раугпская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2.>
Параметр анизотропии а= —" находится в 22 функциональной зависимости от температуры (фиг. 2, кривая 1), что позволяет использовать его в качестве термометрического свойства, т. е. определять температуру по величине анизотропии электропроводности датчика.
Параметр анизотропии обладает высокой воспроизводимостью при нагревании датчика до комнатной температуры и последующем охлаждении. Несмотря на то, что при таких циклических изменениях температуры элекгропроводность датчика характеризуется нсвоспроизводимостью (кривая 2 измерена после первого цикла нагрева и охлаждения, кривая 3 — после второго цикла, кривая 4— после третьего) температурная зависимость параметра анизотропии неизменно следует одной и той we кривой 1.
Низкотемпературный резистивный датчик температуры, содер>кащий анизотропный чувствительный элемент и выводы, отличаюсциася тем, что, с целью повышения воспропзводимо10 сти показаний датчика и точности измерения, в нем чувствительный элемент выполнен из материала с анизотропной электропроводностыо, например из сурьмянистого кадмия, виде плоского диска, вырезанного в кристал15 лографической плоскости (100), причем токовые и потенциальные выводы располо>кены на концBx двух взаимно перпендикулярных диаметров, составляющих угол 45 с главными кристаллографическими осями.
5 70 5 20 г0 00 т и
4cI8 Я
