Патент ссср 343346
О П И СА Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ьоюа Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 05.Х.1970 (№ 1479406/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 22Х1.1972. Бюллетень № 20
Дата опубликования описания 13.Ч11.1972
М. Кл. Н 02m 7/04
Комитет по аслам иаоеретеиий и открытий при Совете Мииистров
СССР
УДК 621 316 722 1(088 8) Автор изобретения
ВСЕГО; ЭЯЙАЯ
p q rp" т - ;". к" ц r ..:.,А
Г. Л. Хренников
Заявитель
КЛЮЧЕВОИ СТАБИЛИЗАТОР ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
Известны ключевые стабилизаторы постоянного напряжения, в которых силовой трансформатор крайними выводами вторичной обмотки через ключевые элементы и диоды соединен с одним из зажимов нагрузки, подключенной другим зажимом к среднему выводу той же обмотки, а дроссель насыщения присоединен к одноименным полюсам диодов.
Недостатком таких стабилизаторов является инерционность, приводящая к задержке в обработке возмущений один-два полупериода, кроме того, известные стабилизаторы не обеспечивают стабилизации выходного напряжения при изменении тока нагрузки.
С целью улучшения стабилизации выходного напряжения в предлагаемом стабилизаторе коллектор-эмиттерные переходы ключевых транзисторов шунтированы диодами, а к их базо-эмиттерным переходам подключены обмотки, размещенные на дросселе насыщения, На фиг. 1 дана схема предлагаемого стабилизатора; на фиг. 2 — форма выходного напряжения.
Стабилизатор содержит силовой трансформатор 1, регулирующие транзисторы 2 и 8, диоды 4 и 5, силовые диоды б и 7, насыщающийся дроссель с обмотками 8, 9 и 10 и нагрузку 11.
При появлении на верхнем (по схеме) выводе вторичной обмотки трансформатора 1 положительной полярности напряжения по цепи; транзистор 2 — диод б — нагрузка 11 проте5 кает начальный ток транзистора 2. Часть этого тока ответвляется в цепь: обмотка 8— диод 5, вследствие чего на обмотке 8 появляется напряжение, что приводит к отпиранию транзистора 2 напряжением обмотки 9.
10 Действием положительной обратной связи транзистор 2 вводится в насыщение, при этом на нагрузке 11 в течение части полупериода (Π— t, фиг. 2) имеется полное напряжение вторичной полуобмотки трансформатора 1.
15 Одновременно происходит перемагничивание сердечника насыщающегося дросселя полным напряжением вторичной обмотки по цепи: транзистор 2 — обмотка 8 — диод 5. В некоторый момент (ti, фиг. 2) индукция в сердечнике
20 достигает величины индукции насыщения, и напряжение на обмотках 9, 10 уменьшается.
Действием положительной обратной связи транзистор 2 запирается и остается закрытым до конца полупериода, так как переход база25 эмиттер шунтирован низким сопротивлением обмотки 9. В следующий полупериод описанные процессы происходят с транзистором 3 и диодами 4 и 7, а сердечник дросселя насыщения перемагничивается от положительного на30 сыщения до отрицательного, Qua.!
Фиг.2
Составитель В. широков
Техред А. Камышникова
Корректор Е. Зимина
Редактор Т. Морозова
Заказ 2166/9 Изд. № 898 Тираж 406 Подпи сное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4j5
Типография, пр. Сапунова, 2
Таким образом, при изменении напряжения сети или сопротивления нагрузки 11 площадь кривой выходного напряжения .постоянна, что определяет неизменность величины выходного напряжения.
При изменении тока нагрузки падение напряжения на силовом трансформаторе и транзисторе уменьшает амплитуду напряжения на насыщающемся дросселе, что приводит к изменению угла регулирования и компенсации этих падений напряжения. Таким образом происходит стабилизация выходного напряжения при изменении тока нагрузки.
Предмет изобретения
Ключевой стабилизатор постоянного напряжения, содержащий силовой трансформатор, крайние выводы вторичной обмотки которого через включенные последовательно ключевые элементы и диоды присоединены к одному из полюсов нагрузки, другим полюсом подключенной к среднему выводу обмотки; и дроссель насыщения, соединенный с одноименными полюсами диодов, отличающийся тем, что, с целью улучшения стабилизации выходного
1о напряжения, коллектор-эмиттерные переходы ключевых транзисторов шунтированы диодами, а к их базо-эмиттерным переходам подключены обмотки, размещенные на дросселе насыщения.
