Электротехническое стекло
336288
Союз Соеетвкик
Социалистические
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. С 03с 3/04
Заявлено 18Х.1970 (№ 1440858/29-33) с присоединением заявки №
Приоритет
Опуолпковано 21 17.1972. Бюллетень №. 14
Дата опублпкоганпя описания 19Л .1972
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 666 117 9(088 8) Авторы изобретения
Э. И. Пузырев и Г. M. Ша
Заявитель
ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЕ СТЕКЛО
Изобретение относится к электротехническому стеклу, предназначенному для применения в электронной и радиотехнической промышленности в качестве диэлектрика.
Известно электротехническое стекло, включающее $10г, А1гОз, NnO, Feq03.
Целью изобретения является улучшение диэлектрических свойств стекла на сверхвысоких частотах.
Это достигается тем, что оно содержит указанные компоненты в следующих количествах, вес. %:
S10г 24 — 40
А1гОз. до 45
МпО 28 — 52 егОз до 2,5 и, кроме того, СггОз 0,5 — 8
Варку стекла производят в защитной среде при температуре 1600 С, Стекло охлаждают, измельчают и:формуют изделия по методам, известным в керамической технологии.
Описываемое стекло имеет следующие свойства: диэлектрическая проницаемость в на ча5 стоте 3 10 аи равна 6,5, а тангес угла диэлектрических потерь tg б 10 4=9.
Предмет изобретения
Электротехническое стекло, включающее
10 SiO, Л1гОз, МпО, 1.= егОз, отличающееся тем, что, с целью улучшения диэлектрических
cBollcTB HB сверхвысоких частотах, оно содержит указанные компоненты в следующих количествах, вес. %:
Si0 24 — 40
А1 Оз до 45
МпО 28 — 52
ГегОз до 25 и, кроме того, 20 СггОз 0,5 — 8.
