Способ изготовления диэлектрических пленок
323808
ОПИСАНИЕ
ИЗОЬГЕт ЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВКДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от явт. свидетельства №
Заявлено 27.VI 1,1970 (№ 1462885/26-9) Кл. Н Olg 3/135 с присоединением заявки №
11риоритет
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Опубликовано 10.Х11.1971. Бюллетень ¹ 1 за (972
Дата опуолнкования описания (5.11.1972
УДК 621.319.4:621.315.612 (088.8) Авторы изобретсни3!
Н. Е. Прихидько, А. И. Борисенко, В, В. Новиков, H. М. Митникова, 3. А. Рачеева и Е. П. Трошина
Заявитель
614БЛ3" -
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК этиловый спирт или смесь его с бутиловым спиртом 36,5 лтл
ДИСТИЛЛИРОВЯИНХIO В!)Д) 35 31л азотнокислый иттрий
"1 (50;3) z.6(1зО 3,07 г и последу!ощей терки)деструкции пленки при
800 С.
П р li м е р 2. Стекловидную диэлектричес1I3 кУю нлснкУ, содеРжащУю 25 вес, /о А(.Оз и
10 вес. % SIO нол3.1
П р и м с р 3. Стекловидную диэлектрнческУю пленкУ, состоЯщУю из 25 «сс. ",o Ясз03 и
75 вес. % $10з, готовят из раствора, содержяЩСI O TO ЖЕ СОСТ IВ131ЮЩИС, ЧТО Il P<1CTBÎP 13
2(3 примере 1, но в качестве язотнокислой соли оер3<т 395 г Sc(NO;;);3.4(1 0.
Пример содержащей
25 берут 2,67 г
+6J (O.
Г1 р и м е р 5. Для диэлектрической пленки, содержащей 29,2 вес. % РГ.Оз и 70,88 Вес. %
"-0 SiO, берут Pr(NO));; 6(-1зО 2,94 г, Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано ири !Iзготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и плено ii)i,lx мнкроконденсяторов.
Известны способы изготовления диэлектрических пленок на основе окисла металла кремнезема, ГIри этом способе я изготовление нлсII013 за тра чиВяется ъ)НОГО Врез! Спи 1! ие удается получить беспсристые пленки.
Целью изобретения является сокращение времени получения бесиористог0 плеIIQ<1! IOãÎ слоя.
Согласно предложенному способу, диэлектрические пленки получают нанесением ня Iloлупроводниковую пластину пленкообразующсI о раствора, состоящего из смеси кремнеэп1лового эфира ортокремниеBoil кислоты с ироСТЫМИ СИИРТЯ МИ, В 1 .ОTOP) 10 В130ДЯТ IЗОТIIОКIIO— лую соль металла III группы периодической таблицы. После этого илеIIK) подверг lloT тсрмодеструкции ири температуре 700 — 800 С В течение 30 — 60 eel .
Способ поясняется примерами.
Пример I. Стекловидную диэлектрическую пленку, содер)кащую 25 вес. % 3 Оз и
75 вес. % S(Oq, получают путем нанесения иленкообразующего раствора, содержащего: тетраэтиловый эфир ортокремниевой кислоты 10,0 лтл
4. Для диэлектрической пленки, 25 вес. % I язОз и 75 вес. % SiO, аЗОтНОКИСЛОй СОЛИ Ln (NO)) з (323808
Предмет изобретения
Составитель Н. Степанов
Тсхрсд Л. Куклина
Корректоры: В. Петрова и А. Абрамова
Редактор T. Орловская
Заказ 1б !7 Изд. ¹ 1836 Тираж 448 Подписное
111(И11П(! Комитета во делам изобретений и открытий при Совете Министров CCCP
Москва. Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, ир. Сапунова, 2
Пример 6, Для диэлектрической пленки, содержащей 33,4 вес. % ХйзОз и 66,6 вес. %
5!аОз, берут Nd(NO>) 6НзО 3,51 г.
Пример 7. Для диэлектрической пленки, содержащей 33,4 вес. % ЯгпзОз и 66,6 вес. %
Si0, берут Ягп(ХОз) з 611 0 3,43 г.
Пример 8. Для диэлектрической пленки, содержащей 34,9 вес. % GdqO, и 65,1 вес, SiO>, берут Ис1(ХОз)з 6НгО 3,61 г.
П р н м е р 9. Для диэлектрической пленки, содержащей 49 вес, % ТЬ.|От н 51,0 вес.
SiOч берут ТЬ(ХОз) з 6НзО 3,16 а.
П р н м е р 10. Для диэлектрической пленки, содержащей 35,5 вес. % ЭуаОз н 64,5 вес. %
SiO2, берут Dy(NO>) з 5НаО 3,47 г.
П р н м с р 11. Для диэлектрической пленки, содержащей 36 вес. % I:гзОI н 64 вес. %
S iO2, берут Ег (МОз) з. 6НзО 3,67 г.
Пример 12. Для диэлектрической пленки, содержащей 36,9 вес. % УЬзОз и 63,1 вес. %
$!Оз, берут Yb(NOg) g 4НзО 3,47 г.
Получениь!е пленки имеют толщину 0,1—
0,3 т!к, неравномерность о толщине составе ляет +-100А.
Способ изготовления диэлектрических плеIIoI< ll3 основе oKIIcля металла и кремнезет1я, отлича!ощийся тем, что, с целью сокращения времени получения беспористого пленочного
15 слоя, диэлектрические пленки получи!от нанесением ня полупроводниковую пластину пленкообразующего раствора, состоящего из смеси кремнсэтилового эфира ортокремниевой кис7oTbl с 17 pocTblM H сп ! рта 1 ! 1, B KQTo p YIO BBQ+HT
20 язотнокислую соль металла III группы пер Ioдической таблицы с последу!ощей термодеструкцией пленки при 700 — 800 С в течение 30—
60 сек.

