Патент ссср 321915
32I9I5
ОП И САНИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 04.1.1970 (№ 1394961/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 19.Х1.1971. Бюллетень j¹ 35
Дата опубликования описания 24.1.1972
МПК Н 03f 3!04
Комитет по делим изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.375.4(088.8) Автор изобретения
Е. Н. Баскаков
Заявитель
УС ИЛ ИТЕЛЬ
Предлагаемое устройство относится к области электронных усилителей и может быть использовано как для усиления гармонических колебаний, так и для усиления импульсов тока и напряжения.
Известны усилители на транзисторе
n — р — и-типа проводимости, содержащие в цепи обратной связи как резисторы, так и транзисторы.
Недостатком таких усилителей является ограниченная возможность увеличения входного сопротивления.
С целью увеличения входного сопротивления в предлагаемом усилителе в цепь обратной связи введен источник смещения, подсоединенный отрицательным полюсом к базе основного транзистора, а положительным полюсом — к эмиттеру транзистора цепи обратной связи.
Кроме того, с целью упрощения схемы при малых напряжениях источника смещения вместо источника включены полупроводниковые диоды в проводящем направлении или резистор.
На чертеже приведены варианты принципиальной схемы предлагаемого устройства.
Устройство состоит из основного транзистора 1, транзистора 2 цепи обратной связи, источника 8 смещения, включенного в цепь обратной связи основного транзистора, резисторов 4 и б, полупроводниковых стабилитронов, выполняющих функцию источника смещения, одного или несколько последовательно соединенных полупроводниковых диодов 7 и резисторов 8, выполняющих функцию источника смещения, резисторов 9, являющихся коллекторной нагрузкой основного транзистора.
Предлагаемый усилитель имеет цепь об10 ратной связи между базой и коллектором основного транзистора 1 и — р — и-типа .проводимости. В цепь обратной связи введен транзистор 2 того же типа проводимости, что и основной транзистор и источник смещения 8
1 рабочих точек обоих транзисторов, включающийся таким образом, что токи обоих транзисторов уменьшаются.
Резистор 4 предлагаемого усилителя включен между коллектором и базой транзисто20 ра 2, второй резистор б включен между коллекторами двух транзисторов 1 и 2. Вместо источника смещения 3 в предлагаемом усилителе могут быть включены полупроводниковый стабилитрон б, один или несколько полу25 проводниковых диодов 7, включаемых в проводящем напр авлении, или резистор 8, Предлагаемый усилитель работает следующим образом.
Входной сигнал подается на базу транзи30 стора 2, управляет его входным током, измеПредмет изобретения! ! ! ! ! ! !
Составитель Н. Герасимова
Техред 3. Тараненко
Корректоры: О. Волкова и T. Бабакина
Редактор И. Орлова
Заказ 4003/15 Изд. № 1722 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 кения входного тока усиливаются этим транзистором. Ток эмиттера транзистора 2 является током базы (входным током) основного транзистора 1. Изменения этого тока усиливаются основным транзистором. Изменения 5 коллекторного тока основного транзистора вызывают изменения напряжения на его коллекторе.
Таким образом, входной сигнал усиливается дважды: сначала транзистором 2, а затем 10 основным транзистором 1, что обеспечивает большой коэффициент усиления схемы. Выходной сигнал выделяется на резисторе 9 и в коллекторной цепи основного транзистора.
Входное сопротивление усилителя увеличи- 15 вается глубокой обратной связью, которая определяется внутренним сопротивлением источника смещения (или заменяющего его прибора) и входным сопротивлением основного транзистора, и смещением рабочей точ- 20 ки транзистора 2 цепи обратной связи на начальный участок, что вызывает увеличение входного сопротивления транзисторов (особенно транзистора 2).
Включение в эмиттерную цепь основного 25 транзистора дополнительного резистора еще больше увеличивает входное сопротивление схемы, при этом увеличение входного сопротивления происходит за счет увеличения обратной связи на вход схемы и за счет образования дополнительной обратной связи на вход основного тр анз и стор а.
1. Усилитель на транзисторе n — p — а-типа проводимости, содержащий транзистор того же типа проводимости в цепи обратной связи, коллектор которого через резистор подсоединен к коллектору основного транзистора, от гичающийся тем, что, с целью увеличения входного сопротивления, в цепь обратной связи введен источник смещения, подсоединенный отрицательным полюсом к базе основного транзистора, а положительным полюсом — к эмиттеру транзистора цепи обратной связи.
2, Устройство по п. 1, отличающееся тем, что, с целью упрощения схемы при малых напряжениях источника смещения, вместо источника включены полупроводниковые диоды в проводящем направлении или резистор.
