Патент ссср 321296
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от а вт. свидетельства ¹
b 1/06
Зая влено 11111.1969 (№ 1311512/18-10) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 19.Х1.1971. Бюллетень № 35
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР (088.8) Дата опубликования описания 15.I I.1972 т
A,âòîðû изобретен ия
С. В. Богданов, В. К. Зандин, Д. В. Шелопут, В. К; СапбжййКИ ;
A. Д. Гингис и А. И. Морозов
Институт радиотехники и электроники АН СССР и Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР
Заявители
СПОСОБ ОБРАБОТКИ НИЗКООМНОГО МОНОКРИСТАЛЛА
СУЛЬФИДА КАДМИЯ ДЛЯ УЛЬТРАЗВУКОВОГО
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ
Изобретение может найти широкое применение в области приборостроения, средств автоматизации и систем управления и различных отр аслях ул ьтр азвуковой техники.
Известен способ обработки низкоомного монокристалла сульфида кадмия для ультразвукового преобразователя на основе обедненного слоя. При этом монокристаллы отжигают в расплаве серы при повышенном давлении и затем очищают пластины сульфида кадмия от осаждений серы.
Для улучшения основных параметров монокристаллов и упрощения процесса их обработки предлагается способ, по которому низкоомный монокристалл сульфида кадмия отжигают в обычной атмосфере без применения специальных диффузантов. При этом ультразвуковые преобразователи, изготовленные на кристаллах сульфида кадмия, обработанных описываемым способом, обладают более стабильными во времени характеристиками.
Способ осуществляется следующим образом: пластинку сульфида кадмия, предварительно ориентированную и механически обработанную, помещают в открытую печь, где отжигают в обычной атмосфере без применения специальных диффузантов при 500—
5 б00 С в течение 1 — 20 вин в зависимости от требуемой основной частоты преобразователя.
Для создания ультразвукого преобразователя на обработанную таким образом поверхность сульфида кадмия наносят слой контакт10 ного материала, желательно серебра. При этом на контакте металл — полупроводник образуется обедненный посптслямп заряда запорный слой.
Предмет изобретения
Способ обработки низкоомного монокристалла сульфида кадмия для ультразвукового преобразователя на основе обедненного слоя путем его отжига, отличаюшийся тем, что, с
20 целью улучшения основных параметров монокристалла и упрощения процесса его обработки, монокристалл сульфида кадмия отжигают в обычной атмосфере.
