Резистивный материал

Авторы патента:

H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

ОПИСАНИЕ 3I7II2

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Свез Саеетскит

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 16.1|.1970 (№ 1405139/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 07.Х.1971. Бюллетень № 30

Дата опубликования описания 9.ХП.1971

МПК Н 01с 7/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.316.89(088.8) Автор изобретения

В. Г. Ходаковская

Заявитель

РЕЗИСТИВНЪ|й МАТЕРИАЛ

Состав масс, Компоненты № 8 № 4

Каолин глухо вецкий обожженный

25 — 35

15 — 25

25 — 35

25 — 35

5 — 15

5 — 10

Каолин глуховецкий сырой

Глинозем обожженный

10 Барий углекислый

Ашарит

Глина часовьярская

Песок кварцевый люберецкий

15 Глина латнехская

Мрамор

Двуокись бария (ВаО>)

Двуокись магния (Mgo) 5 — 15

1 — 5

15 — 20

15 — 20

15 — 25

1 — 5

5 — 10

1

Известны тонкопленочные резисторы, в состав керамических подложек которых входят следующие компоненты: SiOg, А1аОз, MgO, СаО, ВаО, Fe>O, Ti02, К20, Na>O.

Известные резистивные материалы не дают возможности получать резисторы с низким и стабильным значением температурного коэффициента сопротивления (ТКС) как в области положительных, так и отрицательных температурр.

Описываемое изобретение позволяет получить низкое и стабильное значение ТКС.

Это достигается тем, что в состав резистивного материала введены добавки двуокиси магния в количестве 4 — 10 .вес. % или двуокиси бария до 10 вес. % от общего веса кер амической шихты.

Рецептуры резистивных материалов приведены в таблице.

Обжиг керамического материала с добавкой 5% ВаО следует проводить в окислительной среде при 1290&30 С, а с добавкой

10% Mg02 пр и 1320 30 С.

Для резисторов, изготовленных на основаниях из массы с добавкой, изменение ТКС не превышает значения 1,05 ° 10 — 4 в области положительных температур и 1,02 10 — в области отрицательных температур, что характе20 ризует их повышенную эксплуатационную стойкость и более высокую стабильность.

Кроме того, резисторы, изготовленные на основаниях из массы с добавкой, в меньшей степени подвержены циклическим воздействиям температуры, растягивающего усилия, импульсного напряжения. Эти характеристики у резисторов с добавкой имеют в среднем в 3 — 7 раз меньшее значение, чем такие же

30 характеристики у резисторов без добавки.

317112

Предмет изобретения

Составитель А. Мерман

Текред T. T. Ускова

Редактор М. Аникеева

Корректоры: А. Николаева и Л, Корогод

Заказ 3422!11 Изд. ¹ 1439 Тираж 473 Подписное

IIIII4IlIII. Комгсгета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская паб., д. 4 5

Типографии, пр. Сапунова, 2

Резистивный материал на основе корундомуллитовой керамики, отлииаюи4ийся тем, что, с целью получения низкого и стабильного значения ТКС, в его состав введены добавки двуокиси магния в количестве 4 — 10 вее, j или двуокиси бария до 10 вес. о о от общего веса керамической шихты.

Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх