Устройство для измерения магнитных свойств тонких ферромагнитных образцов
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
304529
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 16.11.1970 (№ 1401618118-10) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 25.V.1971. Бюллетень № 17
Дата опубликования описания 12Л П.1971
МПК G 01г ЗЗ/12
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.317.4(088.8) Автор изобретения
В, Г. Семенов
Заявитель
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ
ТОНКИХ ФЕРРОМАГНИТНЫХ ОБРАЗЦОВ
Изобретение относится к области магнитных измерений и предназначено для исследования тонких магнитомягких и магнитотвердых образцов в статическом режиме.
Известные устройства для измерения маг- 5 нитных свойств тонких ферромагнитных образцов, содержащие генератор тока высокой частоты, возбуждающую и управляюшую обмотки и усилитель, »е обеспечивают достаточно высокой чувствительности и точности 10 измерений.
Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что оно снабжено дополнительной измерительной обмоткой, соединенной с резонансным усилителем, на выходе которого 15 включен вольтметр, а управляющая абматl а соединена с регулируемым источником постоянного тока.
Благодаря этому повышаются точность и чувствительность измерений. 20
Блок — схема описываемого устройства изображена на чертеже, где обозначено: 1 — источник тока высокой частоты с обмоткой возбуждения 2, 8 — источник постоянного регулируемого магнитного поля, 4 — испытывае- 25 мый образец, 5 — измерительная обмотка, 6— резонансный усилитель, настроенный на частоту источника тока 1, 7 — вольтметр действующего значения синусоидального напряжения, 8 — амперметр, 9 — реостат. 30
Устройство работает следующим образом.
С помощью реостата 9 устанавливают величину постоянного магнитного поля, измеряемое амперметром 8, проградуированным в единицах напряженности. Постоянное магнитное поле может быть произвольно ориентирована относительно высокочастотного магнитного поля, создаваемого источником тока 1.
Синусоидальный высокочастотный сигнал напряжения неизменной амплитуды. наведенный в обмотке 5, усиливают резонансным усилителем 6 и измеряют вольтметром 7. Дифференциальную магннтнуlo проницаемость образца !!.„, соответствуюшую определенному значению постоянного мап1нтного поля. рассчптыва1ат по формуле: - макс а-макс а макс где Ег ... и Е ... b — амплитудные значения сигнала в обмотке 5 в присутствии образца и при удаленном образце соответственно, (!I — угловая частота синусоида lьного тока, S — плошадь поперечного сечения образца, ЛН амплитуда напряженности высомакс кочастотного магнитного поля в образце.
Измеряя напряжение вольтметром 7 при разных значениях постоянного магнитного поля и вычисляя соответствующие им ьелнчнны диф1реренциальной проницаемости образна, строят сс зависимость от напряхкенности постоянного мап1итного поля и по максимуму втой зависимости опрсдсля1от козрцитивную силу образца.
При пзмсрс1п1и продольной дифференциальной проницаемости постоянное магнитное no,Ic орпснтируют вдоль высокочастотного магнитного поля, нри измерении поперечной дифференциальной проницаемости — перпендикулярнo Высокочастотном маlгпитному пол10.
Напряисснность поля анизотропии тонкого образца 0прсдсляют как максимум поперечной дифференциальной гроницаемости вдоль легкой осп топкого ферромагнитного образца при
4 действии постоянного поля вдоль оси тя>кело1о намагничивания образца.
Предмет изобретения
5 Устройство для измерения магнитных свойств тонких ферромагнитных образцов, например пленок, содержащее генератор тока высокой частоты, возбуждающую и управляющую обмотки и усилитель, отличающееся тем, 10 что, с целью повышения точности и чувствительности измерений, оно снабжено дополнительной измерительной обмоткой, соединенной с резонансным усилителем, на выходе которого включен вольтметр, а управляющая обмотка
l5 соединена с регулируемым источником постоянного тока.
Составитель В. H. Фетииа
Редактор С. И. Хейфиц Техрсд Е. Борисова Корректор Л. А. Царькова
;1аказ )796,!О Изд. М 751 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ 1(омитета но делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР
Москва, N-35, Раушскап паб., д. 415
Типогра1рип, п1ь Сапунова, 2
