Патент ссср 298165
298I65
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
K АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
М П К В 01 j 17/18
Заявлено 19.1Х.1969 (№ 1361994/22-1) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 01.Х.1971. Бюллетень № 29
Дата опуоликовання описания 30.XI.1971
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДK 669.855(088.8) Авторы изобретения В, П. Шаповалов, В. А, Шершель, В. И. Нижегородов, В. M. Палей
Д. И. Левинзон и В. В. Пеллер
Заявитель !
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ
Предмет изобретения
Изобретение относится :к области металлургии полупрсрводников, в частности к способам получения MQHQKристаллов германия п-типа проводимости.
Известны способы получения монакристаллов германия выращиванием по Чохральскому, зонным выравниванием и др,, предусматривающие рост кристалла в инертной атмосфере, на пример iB аргоне, азоте и др.
Одна ко при использовании монокристалло|в германия п-типа ароводимости для изготовления аплавных и диффузионных д иодных и транзисторных структур отрицательно сказываепся на нараметрах полупроводниковых
lIIpH6opoiB неизбежное загрязнение монокристаллов лепкодиффундирующими рекомбинационными примесями, например медью.
Предлагаемый апособ позволяет уменьш ить отрицательное влияние рекомоинационных
:примесей и структурных дефектов. Для этого монокристаллы германия п-типа (проводимости получают выращиванием из ра сплава или занным выравниванием в смеси инертного газа с кислородом при парциальном давлении послед него 4 —:6 мм рт, ст. (при общем давлении 760 мм рт. ст.), что обеспечит содержание атомарного кислорода в монокристаллах германия и-ти па проводимости (5 — 7) ° 10" атом/смз.
Такое содержание атомарного кислорода в монокристаллах германия апособствует нейтрализац ии вредного влияния лепкодиффундирующих рекомбинационных примесей, втапример меди. Смесь |кислорода с инертным газом подают сразу же после соприкосновения затра вочнаго кристалла с рааплавом.
Исследования по казали, что структура диода, изготовленного на,исходных кристаллах
10 германия, обогащенных кислородом, имеет существенно низкие обратные токи при од нам и том же обратном на пряжении, чем структура диода, изготовленная на основе кристаллов германия, выращенных известным опосо15 бом Чохральского. По данным исследования нейтрализация лепкодиффундирующих рекомби национ ных примесей и структурных дефектов введенньвм кислородом позволяет значительно снизить обратные таки,и повы20 сить на пряжение пробоя полупроводниковых структур.
25 Опособ получения монакристалло в герма.ния п-тиса проводимости выращ|иванием из расплава или зонным выравниванием, отличаюи1ийся тем, что, с целью обеапечения содержания атомарного кислорода в монокри30 сталлах германия п-типа проводимости
298165
Составитель М. Могилевская
Редактор Т. Баранова Техред Е. Борисова Корректор Т. Бабакина
Заказ 3340/7 Изд. № 1405 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
3 (5 — 7) 10" атом/смз для уменьшения отрицательного влияния,рекомбинационных примесей и структурных дефектов, выращивание осуществляют в смеси инертного газа с кислородом при парциальном давлении последнего 4 — 6 мм рт. ст.
