Способ изготовления резисторов млт
288089
О П И С А Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Ссюа Соеэтсиит
Социалистические
Респубпии
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 05.VI I 1.1968 (№ 1261766/26-9) Кл. 21с, 54/05 с присоединением заявки №
МПК Н 01с 3/00
УДК 621.316.842 (088.8) Приоритет
Опубликовано ОЗ.Х11.1970. Бюллетень № 36
Дата опубликования описания 3.П.1971
Комитет пе делам иэебретеиий и открытий при Совете Мииивтрее
0ССР
Авторы изобретения Н. Н. Серяков, Л. А. Ерофеева, М. Г. Вольфнеук и Л. В, Юрицын
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗИСТОРОВ МЛТ
Предмет изобретения
Изобретение может найти применение в электронной промышленности.
Известны способы изготовления резисторов с повышенной точностью, Цель изобретения — повышение надежности резисторов.
Для этого изготовленные резисторы предварительно отбирают по э.д.с. шумов, причем уровень не должен превышать 0,25 мкв/вольт, а затем вторично подвергают их импульсной тренировке при 500 — 1000-кратной мощности.
Эти операции позволяют разбраковать и отобрать резисторы с надежностью 0,999.
Технологический процесс происходит следующим образом.
Резисторы изготовляются в соответствии с обычной технологией. Готовые изделия проходят отбор по э.д.с. шумов с уровнем, не более 0,25 мкв/вольт. Резисторы с уровнем э.д.с.
0,25 мкв/вольт проходят тренировку подачей на них импульсного напряжечия частотой or
50 до 20000 ги при 500 — 1000-кратной мощности в импульсе, но не выше предельного напряжения в течение 30 мин.
Резисторы, прошедшие указанные операции, годны к использованию в люоых видах изделий.
Способ изготовления резисторов МЛТ, отличающийся тем, что, с целью повышения на1s дежности резисторов, отбирают резисторы с уровнем э,д.с. шумов не более 0,25 мкв/вольт и вторично подвергают их импульсной тренировке.