Магнитный широтно-импульсный модулятор для управления транзисторными усилителями
О П И С А Н И Е 288036
ИЗОЬРЕтЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союа Сееетских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 22.IV.1968 (№ 1234732/18-24) Кл. 21а>, 36/06 с присоединением заявки ¹
МПК Н 03k 7/08
УДК 621.818(088.8) Приоритет
Опубликовано 03.XII.1970, Бюллетень ¹ 36
Дата опубликования описания 28.Е 1971
Комитет ло делам иаобретеиий и открытий лри Совете Мииистрое
СССР
Авторы изобретения
Ю. И. Кравцов и А. И. Степанов
Заявитель
МАГНИТНЫЙ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ МОДУЛЯТОР
ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМИ УСИЛИТЕЛЯМИ
Предмет изобретения
Известны схемы дроссельных магнитных усилителей, работающих в режиме со свободными четными гармониками при питании его напряжением прямоугольной формы и облада1ощих свойствами широтно-импульсного модулятора.
Однако практически невозможно изготовить маломощный магнитный усилитель, который одновременно обладал бы свойствами широтно-импульсного модулятора и слуи ил бы для управления закрытыми транзисторами.
Предложенное устройство отличается от известных тем, что в нем последовательно с рабочими обмотками магнитного усилителя включены два встречно-последовательно соединенных туннельных диода, общая точка которых подключена к эмиттерам транзисторов, а аноды туíHåëьных диодов связаны с база ми транзисторов.
Это позволяет увеличить чувствительность магнитного усилителя и уменьшить размеры его сердечника.
На чертеже приведена схема мапштного широтно-импульсного модулятора. На схеме
U„ — переменное напряжение питания прямоугольной формы, U — управляющее напряжение постоянного тока; Др1 — дроссель магнитного усилителя (МУ); Дь Д2 — туннельные диоды; U — напряжение питания транзисторов; ПП„ПП2 — германиевые транзисторы.
Рабочие обмотки Кр дросселя glpE соединеlIbI f1 2p2 l ле Ihllo +1EI создания рен..яма работь1 со свободными четными гармониками. Так как туннельные диоды обладают нел1шейностью
5 характеристики To IbKQ g.7 TQKQB одной лярности, то для работы на переменном токе необходимо встречное включение двух диодов.
Транзисторы подключаются параллельно диодам. Нагрузкой МУ служат параллельно со10 едпненные туннельный диод и вход транзистораа.
Если сердечники МУ «е насыщены, его нагрузка определяется малым сопротивлением туннельного диода. Когда же сердечники МУ
15 насыщаются, сопротивление туннельного диода резко увеличивается. Сопротивление нагрузки МУ определяется параллельным соединением входного сопротивления транзистора и возросшим сопротивлением туннельного дп20 ода.
25 Магнитный широтно-импульсный модулятор для управле1шя транзисторными усилителями, содерхкащи11 дроссельный магпштный усилитель и управляемые транзисторы, отличаюи1ийся тем, что, с целью увеличения чувствн30 тельностп мапштного усилителя, а также уменьшения размеров его сердечника, в нем
288036
Составитель Г. М. Роианчеико
Редактор Ю. Д. Полякова Tcvpcд T. П. Курилко Корректор Г. С. Мухина
Заказ 3948 ll Тираж 480 Подписное
ЦНИИГ1И Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, %-35, Раушская наб., д. 4!5
Типография, пр. Сапунова, 2 последовательно с рабочими обмотками магнитного усилителя включены два встречно-последовательно соединенных туииельиых диода, общая точка которых подключена к эмиттерам транзисторов, а аноды туинельных диодов связаны с базами транзисторов.
