Патент ссср 285045

 

285045

45 тивления 11 и напряжением между базами транзисторов 10 и 6. Напряжение на выходе равно разности напряжений насыщенного транзистора 1 и перехода база — эмиттер транзистора 10. При подаче на вход схемы импульса напряжения положительной полярности транзисторный ключ 1, запирается, и ток, заданный между полюсами, проходит от плюса источника 7 через конденсатор и включенный параллельно ему транзистор 1 (шунтирующнй ток), через сопротивление 11 к минусу источника 8, от плюса ис>очника 7 через управляющее сопротивление 9, плечо делителя — сопротивление 4 к минусу источника 8, от плюса источника 7 через конденсатор, базу и коллектор транзистора 10 к минусу источника 7, от плюса источника 7 через сопротивление 9, базу и эмиттер транзистора 6, эмиттер и коллектор транзистора 10 к минусу источника 7, от плюса источника 7 через нагрузку, эмиттер и коллектор транзистора 10 к минусу источника 7.

В схеме применено управление током между источником 7 и 8 от изменяющегося напряжения на конденсаторе, потому что управляющее действие тока заряда при его постоянстве равно нулю. При управляющем действии напряжения конденсатора увеличение линейности его увеличивает линейность изменения тока управляющего сопротивления 9. Задание тока заряда путем задания напряжения на базу транзистора 6 от источника 8 напряжения с помощью делителя напряжения уменьшает влияние изменения источника 7 напряжения на линейность выходного напряжения.

Включение транзистора 10 в качестве эмиттерного повторителя напряжения конденсатора позволяет получить амплитуду выходного напря>кения меньше нап1>яжения источника 7 только на величину напряжения перехода эмиттера — база этого транзистора. Управление током базы транзистора 10 от источника 8 напряжения и током базы транзистора от источника 7 напряжения позволяет получить разность между начальным и конечным токами заряда конденсатора: положительную— при увеличении тока между источниками 7и 8 меньшего увеличения шунтирующих токов; равную нулю — при компенсации токов; отрицательную — при увеличении токов между исг

30 точниками 7 и 8 большего увеличения шунтирующих токов, так как управляющие токи не зависят от токов между источниками напряжения 7 и 8. Отсутствие других элементов, кроме транзисторов 10 и 6 между плюсом источника

8 и минусом источника 7, позволяет изменять напряжение между ними от суммы напряжений источников 7 и 8 до напряжения íа границе насыщения, и таким образом позволяет использовать амплитуды напря>кений источни«ов 7 и 8 для заряда конденсатора.

В представленной схеме нелинейность выходного напряжения зависит от нестабильности напря>кения источника 8, нелинейности изменения коэффициентов передачи тока при изменении токов транзисторов и нелинейности изменения токов шунтирующих конденсаторов. Поэтому для получения максимальной линейности выходного напряжения необходимо: максимально увеличивать сопротивление нагрузки, что можно достигнуть, включив эмиттерный повторитель на составном транзисторе между выходом схемы и нагрузкой; увеличивать ток заряда кондесатора, сделав его немного больше шунтирующих токов; а также иметь достаточно стабильное напряжение источника 8 и повышенное отношение сопротивлений 5 и 4. Структура построения схемы при данном числе элементов не исключает принципиальной возможности постоянного приближения к абсолютной линейности выходного напряжения при создании более качественных элементов схемы.

Предмет изобретения

Генератор линейно-изменяющегося напряжения, содержащий формирующий конденсатор, два эмиттерных повторителя на транзисторах р — n — р и и — р — и типов проводимости, эмиттеры которых соединены между собой, а коллекторы подключены к различным источникам питания, отличаюи ийся тем, что, с целью уменьшения нелинейности выходного напряжения, формирующий конденсатор зашунтирован дополнительным разрядным транзистором, коллектор которого соединен с базой транзистора типа р — и — р, а эмиттер через резистор соединен с коллектором транзистора типа и — р — n.

285045

Составитель Л, Рубинчик

Техред Л. Я. Левина Корректор Н. Л. Бронская

Редактор Т, В. Иванова

Центральная типография ЫО

Заказ 6592/8 † г. Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )K-35, Раушская наб.. д. 4/5

Патент ссср 285045 Патент ссср 285045 Патент ссср 285045 

 

Наверх