Способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости на свч в свободном пространстве
Ссюа Советских,, т1-,."
: - Сацкейкстических
Республик
ОП ИСАНИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
28l569
Зависимое от авт. свидетельства ¹вЂ”
Заявлено 23Х1.1969 (№ 1339734/26-9) Кл. 21а, 71 с присоединением заявки М—
Коынтет по делам изобретений и открытий ари Совете Министров
СССР
МПК G Olr 27/26
У,1,К 621.317.374 (088.8):
Приоритет—
Опубликовано 14.1Х.1970. Бюллетень ¹ 29
3ата опубликования описания 21Л .1971.
AB i ODüt изобретения
В. Ф. Пасечник и В. Д. Кукуш
Заявитель
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОМПЛЕКСНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ
ПРОНИЦАЕМОСТИ НА СВЧ В СВОБОДНОМ ПРОСТРАНСТВЕ
Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности и может быть использовано в измерительных лабораториях научно-,исследовательских институтов, на производстве для кoHòpoëÿ параметров H310TQBляемых диэлектрических материалов и устройств из них (диэлектрических покрытий, антенных обтекателей и д,р.).
Известные способы измерения комплекгной диэлектрической проницаемости на СВЧ в свободном пространстве обладают тем недостатком, что не позволяют точно определить угол Брюстера из-за наличия потерь в реальных диэлектрических материалах, а поэтому рассчитанная величина диэлектрической проницаемости является приближенной, или не позволяют определить угловое положение максимумов отраженных от двух поверхностей образца сигналов и, следовательно, не позволяют определить рассTîÿние между ними.
С целью повышения точности и быстрого измерения комплексной диэлектрической проницаемости, в предлагаемом устройстве образец диэлектрика облучают при угле падения
45 волной, поляризованной под углом 45 к плоскости падения, и определяют эллиптичность r угол наклона большой оси эллипса поляризации поля отраженной волны.
На фиг. показано усгройство, реализующее предлагаемый способ; на фиг. 2 приведены параметры эллипса.
Процесс измерения заключается в следующем.
Приемную антенну 1 (c». фиг. 1) устанавливают на одной линии с передающей антенной 2. Генератор 8 подключают к передающей антенне 2 и измерительный прибор 4 — к приемной антенне 1. Затем ориентируют передаюlo щую антенну 2 под углом 45 к плоскости пя,сния. Вращая приемную антенну 1 вокруг своей оси, фиксируют по шкале 5 те углы, при которых будет равенство ортогональных составляющих линейно поляризованного под
15 углом 45 сигнала, тем самым выбирают направление системы координат и делят по ес осям линейно поляризованный сигнал на две ортогональные и,равные составляющие. Зятем поворачивают приемную антенну 1 вокруг об20 щей оси 0 на угол, удобный для вычислений (например 45 ), вставляют образец 6 диэлектрика в,держатель, помещенный на общей оси, и измеряют, вращая вокруг, своей оси приемную антенну 1, максимальную а и мини25 мальную 6 амплитуды отраженного сигнала
Q и берут их отношение - r (см. фиг. 2).
Эти амплитуды и являются осями эллипса.
30 Для определения ориентации эллипса по от281569
Предмет изобр етен ия
-11 ) %uz 2
Заказ 7560 Тираня 480 IIO.llluCHOi
1 IIHHI1H комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР москва, Ж-35. Раушская иаб.. д. 4/5
Областная типография Костромского управления по печати ношению к выбранной системе координат измеряют угол Р, заключенный между большой осью эллипса х и осью координат у. Результаты измерения подставляют в формулы и вычисляют диэлектрическую проницаемость: ((1 — r ),cos2 2р — 4r ) sin2q: 1ц <р
4г (1 — r ) cos 2P sin ñð tg q: (I+r2 (1 r2) з!П2Р)2
Предлагаемый метод позволяет точно и относительно быстро определить комплексную диэлектрическую проницаемость материалов, а также может найти широкое применение в пнтроскопии и во всех тех случаях исследования диэлектриков, где возможен только односторонний доступ к ним.
Способ измерения ком,плексной диэлектрической проницаемости на СВЧ в свободном пространстве, отличающийся тем, что, с целью
I0 повышения точности измерений, образец диэлектрика облучают при угле падвния 45 волной, поляризованной под углом 45 к плоскости падения, и определяют эллиптичность и угол наклона большой оси эллипса поляриза15 ции поля отраженной волны.

