Способ металлизации диэлектрических подложекв вакууме
ОПИС Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Соаетских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Кл. 22@, 10i01
Заявлено 16.Х11.1968 (№ 1290566i23-5) с присоединением заявки че
МПК С 09d 5i08
УДК 621.793(088.8) Приоритет
Опубликовано ОЗХ11.1970. Бюллетень ¹ 22
Дата опубликования описания 27 Х.1970
Комитет по делам изобретений и открытий при Сосете Министров
СССР
Автор изобретения
В. Л. Хаськович
Заявитель
СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК
В ВАКУУМЕ
Предмет изобретения
Предлагаемый способ металлпзации диэлектрических подложек в вакууме предназначается для нанесения металлических покрытий на ткани, стекло, пластмассы, бумагу и т. д.
Известны способы металлизацин диэлектрических подложек в вакууме (термическое резистивное испарение, напыление с использованием электронного луча и т. д.). Недостатками этих способов являются низкая uexa(IIIческая прочносгь, плохая адгезия и малая сплошность нанесенного покрытия. Устранение этих недостатков и является целью изобретения, что достигается предьарительным нанесением на исходную подложку путем -срмического испарения отдельных конгломератов металла покрытия с образованием «зародышевого» подслоя, после чего нанесенный подслой испаряют непосредственно на диэлектрике под действием потока заряженных частиц с плотностью тока 0,1 — 10 ла/с.т(- в течение 0,5 — бО сек и затем на «зародышевьш» подслой наносят металл покрытия.
Способ металлизацпи диэлектрических подложек в вакууме состоит из нескольких операций. Сначала па исходную подложку (Iaиосят термическим испарениек(зарод1зlшевый подслой, образованный пз отдельных конгломератов металлического покрытия. Желательно, чтобы толщина зародышсвого подс.поя о не превышала, например, 30А. Далее зародышевый подслой подвергают перепспарен(по непосредственно на подложке под действием потока заряженных частиц (элсктронов, положительных и отрицательных ионов) с плот5 постыл тока 0,1 — 10 ла с.н- в течение приблизительно 1 л(ия. Прп этом происходит удал=пие газов с поверхности подло>кки благодаря
IIx понпзацпи, ионизация частиц металла, которая значительно улучшает адгезпю метал10 ла покрытия к диэлектрической подло>кке, а также изменение структуры «зародышевого- подслоя, сопровождаемое снятием внутренних папря>кснпй и повышением механической прочности сп loL(il(Oc Ti(покрытия.
15 Далее па персиспареппый «зародышевый» подслой наносят металл покрытия, например, посредством термического испарения металла в вакууме.
Способ металлизацпп диэлектрических подложек в вакууме, отличаюи(и(1ся тем, что, с целью обеспечения возможности нанесеш(я
25 металлического покрытия на материал с высокой диэлектрической пронпцаемостью и повышения механической прочности, сплошпости и адгезпи покрытия к диэлектрику, на исходную подложку предварительно наносят термическим испарением отдельные конгло275278
Составитель С. И. Симановский
Мт аРедактор Л. К. Ушакова
Корректор Л. В. Юшина
Заказ 3015/о Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва,, К-35, Раушская наб., д. 4(5
Тнпогра<1 ни, пр. Сапунова, 2 мераты металла покрытия с образованием
«зародышевого» подслоя, после чего переиспаряют нанесенный подслой непосредственно на диэлектрике под действием потока заряженных частиц с плотностью тока
0,1 — 10 ма!сл- в течение 0,5 — 60 сек и затем на «зародышевый» подслой наносят металл покрытия.
