Патент ссср 268698
О П И С А Н И Е 268698
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Соеетоких
Социалистических
Реопуолик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 23.1.1967 (№ 1127493/2 -10) Кл. 42i, 8/02 с присоединением заявки №
Приоритет
МПК G 01k
УДК 536.532 (088.8) Комитет по долам изобретений и открьиий при Совете й1иниотрав
СССР
Опубликовано 10.1V 1970 Бюллетень № 14
Дата опубликования описания 9ХП.1970
Авторы изобретения С. К. Данишевский, Н. И. Смирнова, Е. И. Павлова, В. М. Амосову
С. И. Ипатова, Л. Д. Олейникова, П. П. Олейников и Л. И. Трахтенберг
Заявитель
ТЕРМО ПАРА
10 Предмет изобретения
Изобретение относится к области измерительной техники.
Известные вольфрамрениевые термопары, применяемые для измерения высоких температур (до 3000 С), имеют высокую термо-э. д. с. и чувствительность. Однако из-за пониженной температуры рекристаллизации сплавов с рением эти термопары быстро теряют механическую прочность и снижают термоэлектрическую стабильность термоэлектродов.
В предлагаемой термопаре термоэлектроды легированы кремнещелочной присадкой с окисью алюминия, содержащей (в %): 0,1—
0,5 KCI, 0,1 — 0,5 SiO и 0,1 — 0,5 А1 0З.
Ввведение легируютцих присадок позволяет повысить температуру начала собирательной рекристаллизации.
Термоэлектрическая стабильность термоэлектродов и, соответственно, термопары при этом в температурном интер вале 1500 — 2000 С возрастает примерно в 2 — 3 раза. Повышение прочности и стабильности термоэлектродов приводит к расширению технических возможностей термопар этого типа. Уменьшение диа5 метра термоэлектродов позволяет расширить область применения термопар благодаря снижению их инерционности, снизить стоимость и сократить расход дефицитного рения.
Термопара, содержащая термоэлектроды из вольфрамрснисвых сплавов, отличающаяся тем, что, с целью повышения термоэлектриче15 ской стабильности характеристик и механической прочности термоэлектродов при высоких температурах, термоэлектроды легированы кремнещелочной присадкой с окисью алюминия, содержащей (в о/0) 0,1 — 0,5 КС1, 0,1—
20 0,5 SiO.. и 0,01 — 0,05 А1зОз.
