Библиотека i

Авторы патента:

G11C11/36 - диодов, например применяемых в качестве пороговых элементов

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

267698

Ооюв Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 24.1.1969 (№ 1300137/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 02.1V.1970. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 6ХП1.1970

Кл. 21а>, 37 04

Комитет по делом изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК G 11с

УДК 681.327.66(088.8) Авторы изобретения

В. Е. Хавкин и М. H. Максимов

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩЕЁ УСТРОИС 1 ВО

Известны запоминающие устройства, в которых в качестве селектирующих элементов использованы интегральные диодные сборки.

Недостатком таких устройств является невысокая надежность, определяемая большим количеством дискретных полупроводниковых диодов.

Целью изобретения является создание запоминающего устройства повышенной надежности.

Сущность изобретения заключается в том, что анодные выводы каждой группы диодов интегральных диодных сборок с общими катодами соединены между собой и с началами числовых обмоток, а катодные выводы каждой группы диодов интегральных диодных сборок с общими анодами соединены между собой и с концами числовых обмоток.

На фиг. 1 представлена принципиальная схема предлагаемого устройства, на фиг. 2вЂ” конструкция предлагаемого устройства.

Анодные выводы диодов интегральных диодных сборок 1, общий катод каждой из которых образует координатную шину Х матрицы, соединены в группы, например, попарно между собой и с началами числовых обмоток 2 (или первичных обмоток координатных трансформаторов).

Катодные выводы диодов других интегральных диодных сборок 3 с общими анодами, образующими шину У, соединены в группы, например, попарно между собой и с концами числовых обмоток 2. Конструкция запоминающего устройства представляет собой блок 4. из 128 числовых пластин, прошитых непрерыв5 ными разрядными проводами.

Числовая обмотка 2 пластины выполнена таким образом, что ее начало 5 и конец 6 выведены на общую торцовую т оверхность со взаимно противоположных ее концов.

10 Для удобства монтажа пластины в блоке располагаются последовательно повернутыми относительно друг друга на 180 вдоль продольной оси.

Это увеличивает шаг между выводами чис15 ловых обмоток 2 и обеспечивает возможность расположения восьми блоков дешифратора 7 с двух сторон блока пластин и содержащего четыре интегральных диодных сборки, две из которых 1 с общим катодом и две 8 с общим

20 анодом.

Интегральные диодные сборки с общим анодом разделены на четыре группы, что обусловлено выполнением схемы по фиг. 1, т. е. возможностью соединения каждой группы

25 диодных сборок 8 блока дешифратора с одноименными группами диодных сборок последующих блоков дешпф р атор а.

Контакты внешней коммутации разрядных обмоток выведены на общую рамку блока

3р пластин 8, координатных шин Х и У вЂ” на корпус блока дешифратора 7. После соедине267698

Фиг. 3

Составитель А. Соколов

Редактор А. 8. Корнеев Техред Л. Я. Левина Корректор С. A. Кузовенкова

Заказ 2137/4 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ния числовых обмоток блока пластин с соответствующими диодами блоков дешифратора 7 запоминающее устройство заливается герметизирующим компаундом и закрывается металлическими крышками 9.

Предмет изо бретени я

Запоминающее устройство, содержащее

Ферромагнитные элементы памяти и интегральные диодные сборки, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы устройства, анодные выводы каждой группы диодов интегральных диодных сборок с общими катодами соединены между собой и с началами числовых обмоток, а катодные выводы каждой группы диодов интегральных диодных сборок с общими анодами соединены между. собой и с концами числовых обмоток.